Enhancement of carrier mobility and development of superconducting properties in heavy pnictogen square net insulators
重氮方网绝缘体载流子迁移率的增强和超导性能的发展
基本信息
- 批准号:21K14532
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
今年度は、多層膜固相エピタキシー法を用い、異なる単結晶基板上に、La2O2Sbエピタキシャル薄膜の合成を試みた。単結晶基板としてはMgO (格子ミスマッチ: -3.6%)、SrF2 (-0.73%)、MgAl2O4 (0.63%)、GdScO3 (2.6%)、DyScO3 (3.1%)、NdGaO3 (5.5%)、LaAlO3 (6.4%)を用いた。結果としては、MgO(001)基板のみで単相かつ高結晶性のLa2O2Sb(001)エピタキシャル薄膜が得られたが、それ以外の基板では、La2O3やLaOFなどの不純物相の形成により、La2O2Sb(001)エピタキシャル薄膜を単相で得ることはできなかった。これらの結果から、多層膜固相エピタキシー法では、良好な格子ミスマッチだけではなく、前駆体多層膜との反応し難さという観点での基板の選定が重要であることがわかった。さらに、上記のLa2O2Sbエピタキシャル薄膜の合成条件の最適化の過程で、1000℃近くの高温条件において、MgAl2O4(001)基板上に岩塩構造のLaSb(001)エピタキシャル薄膜の合成を見出した。高温条件に由来して高い結晶性が実現し、LaSb(001)エピタキシャル薄膜における室温の電気抵抗率は、単結晶バルク試料と同程度となった。LaSbなどの希土類モノニクタイドの薄膜合成では、ニクトゲンの蒸発のしやすさから、分子線エピタキシー法などによる直接成膜では、400℃程度が上限であり、蒸気圧の高い元素を含む物質の薄膜合成における多層膜固相エピタキシー法の有用性を示すことができた。また、La2O2SbなどのRE2O2Pn (RE = 希土類元素; Pn = Sb, Bi)に関するこれまでの研究成果などをまとめたレビュー論文をiScience誌に出版した。
Our は, multilayer solid phase エ ピ タ キ シ ー method を い, different な る 単 crystal substrate に, La2O2Sb エ ピ タ キ シ ャ ル film の synthetic を try み た. 単 crystal substrate と し て は MgO style (grid ミ ス マ ッ チ : - 3.6%), SrF2 (0.73%), MgAl2O4 (0.63%), GdScO3 (2.6%), DyScO3 (3.1%), NdGaO3 (5.5%), LaAlO3 を (6.4%) with い た. Results と し て は, MgO style (001) substrate の み で 単 phase か つ high crystalline の La2O2Sb (001) エ ピ タ キ シ ャ ル film が must ら れ た が, そ れ outside の substrate で は, La2O3 や LaOF な ど の impurity phase の form に よ り, La2O2Sb (001) エ ピ タ キ シ ャ ル film を で 単 phase to る こ と Youdaoplaceholder0 で な な った った. こ れ ら の results か ら, multilayer solid phase エ ピ タ キ シ ー method で は, good な grid ミ ス マ ッ チ だ け で は な く, former 駆 multilayer membrane と の anti 応 し difficult さ と い う 観 point で の substrate の が selected important で あ る こ と が わ か っ た. さ ら に, written の La2O2Sb エ ピ タ キ シ ャ ル film の process of optimal synthetic conditions の の で, 1000 ℃ almost く の conditions of high temperature に お い て, MgAl2O4 (001) substrate に rock salt tectonic の LaSb (001) エ ピ タ キ シ ャ ル film の synthetic を shows し た. High temperature conditions に origin し て い crystalline が be し, LaSb (001) エ ピ タ キ シ ャ ル film に お け は の electric 気 る room temperature resistance rate, crystallization 単 バ ル ク sample と with degree と な っ た. LaSb な ど の greek-turkish class モ ノ ニ ク タ イ ド の membrane synthesis で は, ニ ク ト ゲ ン の steamed 発 の し や す さ か ら, molecular line エ ピ タ キ シ ー method な ど に よ る directly film-forming で は, degree of 400 ℃ maximum が で あ り, steamed 気 圧 の high い element を む material の membrane synthesis に お け る multilayer solid エ ピ タ キ シ ー method の usefulness を shown す こ と が Youdaoplaceholder0 た た. ま た, La2O2Sb な ど の RE2O2Pn (RE = greek-turkish class element; Pn = Sb, Bi) に masato す る こ れ ま で の research な ど を ま と め た レ ビ ュ ー paper を iScience tzu に publishing し た.
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Increased electrical conduction in anti-ThCr2Si2-type La2O2Bi with Bi square net via oxygen intercalation and hole doping
通过氧插层和空穴掺杂增强 Bi 方网抗 ThCr2Si2 型 La2O2Bi 的导电性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Matsumoto;H. Kawasoko;and T. Fukumura
- 通讯作者:and T. Fukumura
Versatile control of the superconducting transition temperature in anti-ThCr2Si2-type Y2O2Bi via H, Li, or F doping
通过H、Li或F掺杂对反ThCr2Si2型Y2O2Bi超导转变温度进行多功能控制
- DOI:10.1039/d1dt04023e
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Terakado Kyohei;Kawasoko Hideyuki;Fukumura Tomoteru
- 通讯作者:Fukumura Tomoteru
Significantly improved electrical conduction of Sb square net in anti-ThCr2Si2 type La2O2Sb thin films grown by multilayer solid-phase epitaxy
多层固相外延生长的反ThCr2Si2型La2O2Sb薄膜中Sb方网的导电性显着改善
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Yamamoto;H. Kawasoko;and T. Fukumura
- 通讯作者:and T. Fukumura
Rock-salt Type LaSb Epitaxial Thin Film Grown by Multilayer Solid-phase Epitaxy at High Temperature Close to 1000 °C
- DOI:10.1246/cl.230020
- 发表时间:2023-04-01
- 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:Ishigane,Noriyuki;Kawasoko,Hideyuki;Fukumura,Tomoteru
- 通讯作者:Fukumura,Tomoteru
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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