強相関酸化物界面設計に基づく電子・結晶構造相転移の独立制御
基于强相关氧化物界面设计独立控制电子相变和晶体相变
基本信息
- 批准号:23K13664
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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組頭 広志
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Elucidation of Collective Electronic Phase Transition Induced at Device Interfaces Based on Correlated Oxides
基于相关氧化物的器件界面处诱导的集体电子相变的阐明
- 批准号:
21K20498 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up