多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築
多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築
批准号:
23K13674
负责人:
茂藤 健太
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2025-03-31
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高移動度半導体薄膜の低温プロセス技術に基づく超高速フレキシブルCMOSの開発
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批准号:20J01059
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2020
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负责人:茂藤 健太
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依托单位:
プラスチック上における高スズ濃度ゲルマニウムスズ結晶の創成と太陽電池応用
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批准号:17J00544
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2017
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负责人:茂藤 健太
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依托单位:
海外基金