InNチャネル高電子移動度トランジスタ実現に向けた結晶成長技術と極性制御
InNチャネル高電子移動度トランジスタ実現に向けた結晶成長技術と極性制御
实现InN沟道高电子迁移率晶体管的晶体生长技术和极性控制
批准号：
24K17314
负责人：
後藤 高寛
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2026-03-31
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再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析
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批准号：21K14207
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2021
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负责人：後藤 高寛
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依托单位：
極低消費電力デバイスを目指したＳｂ系トンネルトランジスタの開発
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批准号：17J08214
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.22万
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财政年份：2017
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负责人：後藤 高寛
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依托单位：