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再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析

再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析
利用再生技术制造和分析水平纳米片通道隧道 FET
批准号：
21K14207
负责人：
後藤 高寛
金额：
$2.91万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21K14207/
关键词：
MOSFETTFETIII-V semiconductors

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  • 负责人：
    後藤 高寛
  • 依托单位：
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