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ルミネッセンスによる半導体表面および絶縁体-半導体表面における転位・不純物分布の測定法

ルミネッセンスによる半導体表面および絶縁体-半導体表面における転位・不純物分布の測定法
利用发光测量半导体表面和绝缘体-半导体表面上的位错和杂质分布的方法
批准号：
X00120----185066
负责人：
中井 順吉
金额：
$1.73万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-X00120----185066/
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低温超高圧力下のフォトルミネッセンス測定による半導体中の不純物.格子欠陥の研究
  • 批准号：
    57550013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1982
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
実時間自動エリプソメトリーによる半導体陽極酸化膜成長過程の研究
  • 批准号：
    X00080----546052
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.67万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
非水電解化成法を用いた陽極酸化膜によるGaAs-MOS FETの研究
  • 批准号：
    X00120----285064
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
  • 批准号：
    X00040----220320
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $2.56万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University