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低温超高圧力下のフォトルミネッセンス測定による半導体中の不純物.格子欠陥の研究

低温超高圧力下のフォトルミネッセンス測定による半導体中の不純物.格子欠陥の研究
通过低温超高压下的光致发光测量研究半导体中的杂质和晶格缺陷。
批准号：
57550013
负责人：
中井 順吉
金额：
$0.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1982
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1982 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-57550013/
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実時間自動エリプソメトリーによる半導体陽極酸化膜成長過程の研究
  • 批准号：
    X00080----546052
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.67万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
非水電解化成法を用いた陽極酸化膜によるGaAs-MOS FETの研究
  • 批准号：
    X00120----285064
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
  • 批准号：
    X00040----220320
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $2.56万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
  • 批准号：
    X00040----121121
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1976
  • 负责人：
    中井 順吉
  • 依托单位：
    Osaka University