光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
批准号:
X00040----021815
负责人:
中井 順吉
金额:
$2.88万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1975
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1975 至 --
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低温超高圧力下のフォトルミネッセンス測定による半導体中の不純物.格子欠陥の研究
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批准号:57550013
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1982
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
実時間自動エリプソメトリーによる半導体陽極酸化膜成長過程の研究
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批准号:X00080----546052
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.67万
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财政年份:1980
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
非水電解化成法を用いた陽極酸化膜によるGaAs-MOS FETの研究
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批准号:X00120----285064
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1977
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
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批准号:X00040----220320
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1977
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
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批准号:X00040----121121
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1976
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
ルミネッセンスによる半導体表面および絶縁体-半導体表面における転位・不純物分布の測定法
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批准号:X00120----185066
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1976
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
トンネル注入ルミネッセンス法によるMIS素子の絶縁体膜中における不純物準位に関する研究
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批准号:X00090----155117
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1976
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
変調分光法と光励起変調容量法による半導体表面の不純物濃度分布の測定法
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批准号:X00120----085147
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.0万
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财政年份:1975
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
遠赤外検出器のための混晶半導体Cdx Hg_1-xTeの研究
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批准号:X00090----855095
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.99万
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财政年份:1973
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
層状半導体の結晶成長と不純物制御に関する研究
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批准号:X00040----820418
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.44万
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财政年份:1973
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
半導体薄膜と接合の光電場効果
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批准号:X45090-----85005
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1970
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
薄膜光電場効果素子に関する基礎研究
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批准号:X43080------8629
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1968
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负责人:中井 順吉
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依托单位:
薄膜ヘテロ, ジャンクション
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批准号:X40440-----53266
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项目类别:Particular Research
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资助金额:$0.14万
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财政年份:1965
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负责人:中井 順吉
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依托单位: