非対称トンネル障壁を用いた単電子素子の設計及び試作

使用不对称隧道势垒的单电子器件的设计和原型制作

• 批准号: 10750255
• 负责人: 花尻 達郎
• 金额: $ 0.32万
• 依托单位: Toyo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 1999
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-10750255/
• 关键词: 非対称トンネル障壁; 極薄シリコン熱酸窒化膜; 光励起プロセス; アンモニアラジカル; 光電子分光法; 電流-電圧特性測定; 単電子素子; シリコン酸窒化膜; 熱窒化; 光窒化

本研究の目的は、従来の単電子素子には全くない非対称トンネル障壁によってもたらされる単電子素子の可の実験的検証を行うことにある。平成10年度においては、シリコン系物質を用いた非対称トンネル障壁作製プロセス用各種実験装置を立ち上げ、具体的にはSi(100)基板上に1100℃で形成した極薄シリコン熱酸化膜をアンモニアラジカルにより窒化することに成功しているので、平成11年度はそれに引き続いて、殆ど報告例がなくまた工業化の利点が大きいと思われる光励起プロセスによる窒化を試みた。光電子分光法や赤外吸収法により化学的な評価を行い、また更に、電流ー電圧特性測定などから電気的特性の評価を行うことにより、より組成的に急峻な構造を持ち、捕獲中心が充分に少ない熱酸窒化膜の作成プロセスの最適化を行った。個々の絶縁性障壁について、単電子素子としての動作の確認が出来るほどに十分な特性を得ることができた時点で、個々の絶縁性障壁を超高真空中に於いて連続的に堆積することによって、非対称トンネル障壁を作製する。3層構造における窒素組成の変化は、アンモニアラジカルによる窒化時間を1-3分にすることにより急峻になり、シリコン熱酸化膜の窒化を用いて非対称トンネル障壁が作成し得ることを示した。20nm以上の厚いシリコン熱酸化膜の窒化については、酸化膜表面の他にシリコン酸化膜/シリコン基板界面も窒化され、3層構造が形成されることが報告されているが、トンネル障壁に使用できるほどの極めて薄い熱酸化膜についての試みは初めてのものである。

The purpose of this study is to make sure that the full range of pheromones are not known to be used for the purpose of this study. in this study, the purpose of this study is to pay attention to the health care of the whole family. In Pingcheng, all kinds of equipment were used as the barrier of the equipment. The thin and thin acidified film was formed at 1100 ℃ on the substrate of Si (100). The temperature of the acidified film was very thin, and the temperature was asphyxiated successfully. As a matter of fact, I would like to make an announcement. I would like to know how to make a profit point. I would like to encourage you to make an attempt to suffocate. The photoelectron spectroscopy is used to determine the characteristics of the chemical industry, the infrared absorption method, the photoelectron spectroscopy method, the photoelectron spectroscopy method, the infrared absorption method, the photoelectron spectroscopy method, the photoelectron spectroscopy method, the infrared absorption method, the photoelectron spectroscopy method, the photoelectron spectroscopy method, the infrared absorption method and the infrared absorption method. It is confirmed that the ten-hour characteristic of the thermal barrier is not available. In the ultra-high-altitude true air, it is found that the thermal barrier is closed in ultra-high true air. (3) the asphyxiant composition of asphyxiant, the time of asphyxiation, and the asphyxiation of the acidified film are made by using a non-thermal barrier to show the temperature. Above 20nm, the thickness of the acidizing film, the surface of the acidified film, the interface of the acidified film

项目成果

T.Hanajiri and T.Sugano: ""Fabrication of ultra small structures on Si utilizing selforganization""Proc.of the 8th Int.Conf.on Defects・Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors. 8. 72-73 (1999)

T.Hanajiri 和 T.Sugano：“硅自组织上超小型结构的制造”Proc.of the 8th Int.Conf.on Defects・Recognition,Imaging and Physical in Semiconductors 8. 72-73 (1999)

T.Hanajiri and T.Sugano: ""Self-formation of ultra small structures on vicinal Si substrates for nano device array""J.Crystal Growth. 34. 157-161 (2000)

T.Hanajiri 和 T.Sugano：“用于纳米器件阵列的邻位硅衬底上超小型结构的自形成”J.Crystal Growth。