強磁性体電極をもつ微小トンネル接合の磁気抵抗

铁磁电极微隧道结的磁阻

基本信息

  • 批准号:
    09740273
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1. 強磁性体電極の材料となるCo薄膜の保磁力の膜厚依存性を室温から約2Kまでの範囲で明らかにした。その結果を利用して、厚さの異なるCo薄膜を両電極とする強磁性トンネル接合を作成し、トンネル磁気抵抗効果が明瞭に観測できることを示した。2. 強磁性-超伝導-強磁性トンネル接合であるNi/Al-Al_2O_3/Co接合で観測された非単調な磁気抵抗を、Al薄膜の超伝導の効果(エネルギーギャップと電気抵抗の磁場依存性)によって説明した。通常のトンネル磁気抵抗効果による磁気抵抗のピークも同時に観測されたが、超伝導転移に伴い、そのピークの幅と高さが変化する現象を観測し、この原因について考察した。3. 超伝導-強磁性接合であるAl-Al_2O_3/Ni接合の磁気抵抗が、Al薄膜の超伝導転移温度以下で面内の磁場方向に依存すること、及び、ゼロ磁場に戻したときの抵抗に印加磁場方向に関するメモリー効果がみられることを観測した。この結果を、強磁性電極の端部での漏洩磁場によって説明した。4. 強磁性-常磁性-強磁性2重トンネル接合においては、トンネル電流によって引き起こされる常磁性アイランド上のspin accumulationによってTMRが生じることが予測され、いくつかの理論的研究が行われているが、実験的にはまだ十分に検証されていない。そこで、強磁性-常磁性-強磁性2重トンネル接合のトンネル磁気抵抗を調べることを目的として、良好なトンネル接合試料を作成条件の研究を進め、トンネル磁気抵抗の温度依存性とバイアス電圧依存性を測定した。
1. The film thickness dependence of ferromagnetic electrode materials and Co thin films on magnetic properties varies from room temperature to about 2 K. As a result, the ferromagnetic bonding of Co thin films with different thicknesses is demonstrated. 2. Ferromagnetic-superconductivity-ferromagnetic junction Ni/Al-Al_2O_3/Co junction was used to measure the non-uniform magnetic resistance and superconductivity of Al thin films. In general, the magnetic field resistance effect is measured simultaneously, and the magnetic field resistance is measured simultaneously. The magnetic field resistance is measured simultaneously, and the magnetic field resistance is measured simultaneously. 3. The magnetic resistance of the Al_2O_3/Ni superconductive-ferromagnetic junction depends on the magnetic field direction below the transition temperature of the Al thin film. This result is illustrated by the leakage magnetic field at the end of the ferromagnetic electrode. 4. Ferromagnetics-permanence-ferromagnetism two-fold junction, spin accumulation, TMR generation, prediction, theoretical study, and experimental investigation. Study on the preparation conditions of ferromagnetic-nonmagnetic-ferromagnetic two-layer bonding samples; determination of temperature dependence of magnetic resistance;

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Shimazu: "Effect of Superconductivity on Magnetoresistance in Ferromagnetic Tunnel Junctions" Jpn.J.Appl.Phys.37巻. 3299-3303 (1998)
Y. Shimazu:“铁磁隧道结中超导性对磁阻的影响”Jpn.J.Appl.Phys.37 卷 3299-3303 (1998)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Shimazu: "Superconductivity Effect on Magnetoresistance in Ferromagnetic Tunnel Junctions" J.Magn.& Magn.Mater.(発表予定). (1999)
Y.Shimazu:“铁磁隧道结中磁阻的超导效应”J.Magn.& Magn.Mater(即将发表)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
島津佳弘: "Coトンネル接合の低温におけるトンネル磁気抵抗" 日本物理学会講演概要集. 53巻2号. 550-550 (1998)
Yoshihiro Shimazu:“Co 隧道结中的低温隧道磁阻”日本物理学会摘要,第 53 卷,第 2 期,550-550(1998 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
島津佳弘: "Ni/Al-Al_2O_3/Co接合の磁気抵抗II" 日本物理学会講演概要集. 52巻2号. 521 (1997)
Yoshihiro Shimazu:“Ni/Al-Al_2O_3/Co 结的磁阻 II”日本物理学会讲座摘要,第 52 卷,第 2. 521 期(1997 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
島津佳弘: "Ni/Al-Al_2O_3/Co接合の磁気抵抗III" 日本物理学会講演概要集. 53巻1号(発表予定). (1998)
Yoshihiro Shimazu:“Ni/Al-Al_2O_3/Co 结的磁阻 III”,日本物理学会论文集,第 53 卷,第 1 期(待发表)。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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