乱れた超伝導体における量子揺らぎの研究

无序超导体中的量子涨落研究

• 批准号: 09740271
• 负责人: 佐藤 一彦
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09740271/
• 关键词: 超伝導絶縁体転移; 非晶質超伝導体; コスタリッツ・サウレス転移

超高真空中で急冷蒸着により作成した非晶質Nb超薄膜の電気抵抗の温度依存性を測定することにより、乱れた超伝導体における量子揺らぎに関する研究を行った。これまでは測定最低温度が2Kまでに限られていたので、超高真空中で急冷蒸着かつその場電気抵抗測定が可能なヘリウム3冷凍機を新たに作成した。この装置により測定最低温度が0.7Kとなった。さらに最低温度を下げるためには、輻射による熱流入を抑え、なおかつサファイア基板の冷凍機に対する熱接触方法を改善する必要があると考えられる。新たな測定結果により、以下のような知見が得られた。1. 膜厚を変化させたときに起こる超伝導・絶縁体転移はわずか0.2Å程度の変化で起こり、非常に鋭い。2. 平均場的な意味での超伝導転移温度(T_<c0>)と完全に電気抵抗が零になるコスタリッツ・サウレス転移温度(T_<KT>)の差は膜厚が減少することにより増大し、以前指摘したようにクーパーペアの位相が量子力学的に揺らいでいる状態の存在を示唆する。ただし、その相の存在領域は以前のデータを低温まで外挿することにより推定していたものより狭い。3. T_<KT>の膜厚変化をより低温まで外挿すると、面抵抗値がクーパーペアの量子面抵抗値6.45kΩになった近傍でT_<KT>はゼロになる。以上の結果は、日本物理学会1997年秋の分科会、1998年年会で報告された。

Ultra-high vacuum air rapid cooling to make amorphous NB ultra-thin film electronic resistance temperature-dependent measurement of temperature dependence, and temperature dependence. When the lowest temperature is measured at 2K, the temperature limit is very low, and the ultra-high vacuum rapid cooling is steaming in the ultra-high vacuum. It is possible to test the resistance of the cold machine to the new machine. The device is required to determine the lowest temperature of 0.7K. Under the condition of the lowest temperature, it is necessary to improve the method of contact between the air conditioner and the air conditioner under the lowest temperature. The results of the new test are satisfactory, and the following results are satisfactory. 1. The thickness of the film is very sensitive to the change of the thickness of the film, the thickness of the film. two。 The temperature of the average field means that the temperature of the average field is higher than that of the temperature field.) the temperature of the average field means that the temperature of the average field is higher than that of the average field.) the temperature of the average field means that the temperature of the average field is higher than that of the average field, the temperature of the average field means that the temperature of the average field is higher than that of the average field. There is a field in which the temperature is low and the temperature is low. There is a presumption that the temperature is narrow. 3. The thickness of the film, the thickness of the film, the temperature of the film, the temperature of the film, the surface resistance, the quantum surface resistance, the temperature, the temperature and the temperature. The results of the above results, the autumn branch meeting of the Japanese physical Society in 1997 and the annual report in 1998.

项目成果

W.Higemoto: "Studies of the Positive Muon Behavior in Solid H_2 and D_2" Hyperfine Interactions. 106. 39-44 (1997)

W.Higemoto：“固体 H_2 和 D_2 中正 μ 子行为的研究”超精细相互作用。