孤立分子系コヒーレント超高リュードベリ状態のパルス電場による寿命制御

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本研究課題は、ナノ秒パルスレーザーによる共鳴多光子励起で生成したコヒーレシトな超高リュードベリ状態の寿命を、パルス電場をもちいて制御するための基礎的な実験をおこなうことを目的として開始された。任意波形パルス電場発生装置の開発をおこない、それを用いてNO分子等の小分子およびベンゼン等多原子系を対象として、超高リュードベリ状態の寿命のパルス電場依存性、イオン濃度依存性等を詳細に調べた。その結果、ベンゼン誘導体等の多原子分子系では振動回転状態の異なるリュードベリ系列間での遷移がNO分子等の小分子系と比べて顕著に起こることが新にみいだされた。この原因として振動準位密度および回転準位密度が関係していると予想されるが、低振動モードの振動数の異なるベンゼン誘導体についてリュードベリ系列間遷移を調べたところ、ほとんど差がみられないことから主に回転準位密度が関係していることが示唆された。