MOVPE法によるZnSe/MgS量子井戸箱の試作研究

MOVPE法ZnSe/MgS量子阱盒原型研究

• 批准号: 09750001
• 负责人: 植杉 克弘
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09750001/
• 关键词: ZnSe; MgS; 量子井戸箱; ナノリソグラフィ; DBR; GaNAs; MOVPE; MOMBE; II-VI族半導体

前年度はZnSe/MgS超格子井戸層の界面揺らぎによる自然量子井戸箱の作製と,自己組織化によるCdSe,ZnSe量子井戸箱の作製が可能であることを示した。本年度はさらにナノメートルスケールの微細加工技術の開発を行い,選択成長法による量子井戸箱の作製を行った。原子間力顕微鏡を用いたナノリソグラフィにより〜22nmのパターニングが可能であることを示し,それにより形成したマスクを用いて選択成長による量子井戸箱構造の作製が可能であることを示した。これらの手法を用いて量子井戸箱を作製することにより,高性能光デバイスの実現が期待できる。また,高性能II-VI族半導体レーザを実現するためにはp型ZnSeの作製手法の確立が必要である。本研究では従来のドーピング法と異なるZnSe膜中にp型ZnTe:Li量子箱を埋め込む手法により,p型ZnSeの作製が可能であることを示した。ZnSe/ZnSによるブラッグ反射鏡の検討を行い,II-VI族半導体光微小共振器の形成が可能であることを示した。一方,光集積回路を実現するには高性能受光素子の開発が必要である。長波長半導体受光素子の開発に向けて,新しい材料系のGaNAs混晶半導体の研究を行った。MOMBE法によるGaNAs成長過程を示した。GaNAsの巨大バンドボーイング特性やN組成の増加に伴うバンド端状態密度の増加現象などの,従来研究されてきたIII-V族混晶半導体と異なる特性を示した。

Well before the annual は ZnSe/the MgS superlattice layer opens の interface 揺 ら ぎ に よ る natural と the quantum well opens box の cropping systems, their organizational に よ る CdSe and ZnSe quantum well opens box の cropping が may で あ る こ と を shown し た. This year's は さ ら に ナ ノ メ ー ト ル ス ケ ー ル の の microfabrication techniques open 発 を い, sentaku growth method に よ る quantum well opens the box の cropping を line っ た. Interatomic force 顕 micromirror を with い た ナ ノ リ ソ グ ラ フ ィ に よ り ~ 22 nm の パ タ ー ニ ン グ が may で あ る こ と を し, そ れ に よ り form し た マ ス ク を with い て sentaku growth に よ る quantum well structure opens box の cropping が may で あ る こ と を shown し た. こ れ ら の gimmick を with い て quantum well opens the box を cropping す る こ と に よ り, high-performance light デ バ イ ス の be が now expect で き る. Youdaoplaceholder0, high-performance II-VI group semiconductors レ レ ザを ザを implementation するために である p-type ZnSe manufacturing method <e:1> establishment が necessary である. This study で は 従 to の ド ー ピ ン グ method と different な る ZnSe in membrane に p-type ZnTe: Li quantum box buried を め 込 む gimmick に よ り, p type ZnSe の cropping が may で あ る こ と を shown し た. ZnSe/ZnS に administered よ る ブ ラ ッ グ reflector の 検 for line を い, II - VI semiconductor optical microscopic resonator の may form が で あ る こ と を shown し た. On the one hand, the optical integration circuit を actuates するに するに high-performance light-receiving element <s:1> development が necessary である. The light-receiving element of long-wavelength semiconductors is developing in a に direction to けて, and the research on GaNAs mixed-crystal semiconductors of the new <s:1> に materials system is を and った. The MOMBE method による the growth process of GaNAs を shows た. GaNAs の huge バ ン ド ボ ー イ ン グ features of や N の raised plus に with う バ ン ド の raised plus side state density phenomenon な ど の, 従 to study さ れ て き た III - V mixed crystal semiconductor と different な る features を shown し た.

项目成果

K.Uesugi: "Bandgap Energy of GaNAs Alloys Grown on (001) GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.36. L1572-L1575 (1997)

K.Uesugi：“通过金属有机分子束外延在 (001) GaAs 上生长的 GaN 合金的带隙能量”Jpn.J.Appl.Phys.36。

K.Uesugi: "Band gap energy of GaNAs grown on GaAs(001)substrates by metalorganic molecular-beam epitaxy" J.Crystal Growth. 188. 103-106 (1998)

K.Uesugi：“通过金属有机分子束外延在 GaAs(001) 基板上生长的 GaN 的带隙能量”J.Crystal Growth。

T.Tawara: "ZnSe/ZnS Distributed Bragg Reflectors in the Blue Region Grown on (311) B GaAs Substrates" Jpn.J.Appl.Phys.36. 6672-6676 (1997)

T.Tawara：“在 (311) B GaAs 衬底上生长的蓝色区域中的 ZnSe/ZnS 分布式布拉格反射器”Jpn.J.Appl.Phys.36。

A.Avramescu: "Atomic force microscope lithography on carbonaceous films deposited by electron-beam irradiation" Appl.Phys.Lett. 72・6. 716-718 (1998)

A.Avramescu：“通过电子束照射沉积的碳质薄膜的原子力显微镜光刻”Appl.Phys.Lett 72・6（1998）。

I.Suemune: "Low-dimensional II-VI Semiconductor Structures : ZnSe/MgS Superlattices and CdSe Self-organized Dots" Phys.Status Solidi B. 202. 845-856 (1997)

I.Suemune：“低维 II-VI 半导体结构：ZnSe/MgS 超晶格和 CdSe 自组织点”Phys.Status Solidi B. 202. 845-856 (1997)