C_<60>薄膜の半導体としての性質の解明とその応用

C_<60>阐明半导体薄膜的特性及其应用

• 批准号: 09750368
• 负责人: 羽渕 仁恵
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Gifu National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09750368/
• 关键词: C_<60>薄膜; C_<70>薄膜; インターカレーション; 光照射; 局在準位; 酸素; ゼオライト; a-CNx; 光ルミネッセンス; 一定光電流法

本研究では,C_<60>薄膜およびC_<70>薄膜おける光照射下での影響を主に電気伝導、光ルミネッセンス、一定光電流法、光熱偏向分光法および電子スピン共鳴法によって調べた。また、炭素に関連した物質について光熱偏向分光法を用いて、低エネルギー光吸収スペクトルを測定した。得られた結果は以下のようになった。1. フラーレン薄膜成膜時に光照射を行うことによって、均一な光重合フラーレン薄膜を作製することが出来た。この薄膜の光吸収スペクトルを測定した結果、2.1〜2.4eVに吸収の増加が観測された。これは、すでに報告されている光重合C_<60>固体の吸収スペクトルの結果と一致する。また,光重合C_<60>薄膜はC_<60>薄膜と比べてエネルギーギャップが小さいことが分かった。2. スパッタ法によって作製したa-CNxについて、光吸収スペクトルを測定した。この結果、Cのπ結合によると思われる。エネルギーギャップは1.4-1.9eVと見積もられ、アーパックテイルエネルギーは150meVであった。この物質にはσとπ結合の二種類が存在していると考えられる。3. C_<60>内包ゼオライトについて、光熱偏向分光法を用いて光吸収スペクトルを測定した。この結果、新たに0.65および0.9eVに吸収ピークが見られた。これはゼオライト自身による吸収だと考えられる。C_<60>内包ゼオライトのエネルギーギャップはほぼ、C_<60>薄膜のものと等しく、アーバックテイルエネルギーも同じであった。

In this study, the effects of C<60>_thin film and C_<70>thin film under light irradiation were investigated by electrical conductivity, photoconductivity, photocurrent, photothermal deflection spectroscopy and electron resonance. Carbon and related substances were determined by photothermal deflection spectrometry. The result is that the 1. When the film is formed, the light is irradiated and the uniform light is formed. The optical absorption of the thin film was measured at 2.1 ~ 2.4eV. The results of the absorption spectra of C_(12) and C_(13) <60>were consistent. C<60>_thin film is a thin film<60>. 2. The method of measuring the absorption of light in the a-CNx system The result is C and π.ルTwo kinds of substances exist in combination with σ and π. 3. C_(12)-C_(12)-C_(<60>12 The result is 0.65 eV and 0.9 eV. The first time I saw him, I was shocked. C_<60>inner <60>package

项目成果

Hitoe HABUCHI: "The relation between intercalated oxygen molecules and localized electronic states in C_<60> films with/without the laser light irradiation" Fullerenes and Photonics IV. 3142. 184-195 (1997)

Hitoe HABUCHI：“在有/没有激光照射的情况下，C_<60> 薄膜中插层氧分子与局域电子态之间的关系”富勒烯和光子学 IV。

Hitoe HABUCHI: "Temperature Dependence of Photoluminescence Spectra of C_<60> films and a Luminescence Related to Oxygen Molecules" Applied Surface Science. 113/114. 286-290 (1997)

Hitoe HABUCHI：“C_<60> 膜的光致发光光谱的温度依赖性以及与氧分子相关的发光”应用表面科学。

T.Iwasaki: "Structural and electronic properties of highlu photoconductive amorphous carbon nitride" Diamond and Related Materials. (1999)

T.Iwasaki：“高卢光电导非晶氮化碳的结构和电子特性”金刚石和相关材料。

N.Kobayashi: "Preparation and properties of noe-demensional C_<60> nano-structure in zeolite FSM-16" Proceedings of 10th international symposium on interoduction compounds. (1999)

N.Kobayashi：“沸石 FSM-16 中无维 C_<60> 纳米结构的制备和性能”第十届国际插值化合物研讨会论文集。

Hitoe HABUCHI: "Effects related O_2-intercalation in C_<70> films studied by electrical conductivity,photoluminescence and constant photocurrent method" Journal of Molecular Materials. (1998)

Hitoe HABUCHI：“通过电导率、光致发光和恒定光电流方法研究 C_<70> 薄膜中与 O_2 插层相关的效应”《分子材料杂志》。