ナノスケール磁性体における量子伝導現象

纳米级磁性材料中的量子传导现象

• 批准号: 11740204
• 负责人: 多々良 源
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11740204/
• 关键词: ナノ接合; 磁気抵抗; メゾスコピック; 磁壁; ナノ磁性; ナノコンタクト(接合)

研究代表者は最近主にナノスケール磁性接合や細線中の磁壁による電気抵抗の計算を行っているが、今年度はさらに研究を進めた。まずは抵抗の起源である磁壁による散乱の反作用として電子系による磁壁への圧力を議論した。磁壁の散乱は電子系のエネルギーを下げることがわかり、さらに厚い磁壁よりも強い散乱を引き起こす薄い磁壁のほうが電子系を安定化させることがわかった。つまり電子系により磁壁を圧縮する力が生じることになる。しかしこの力は通常の遷移元素強磁性体の磁壁を変形するには足らず、交換相互作用の弱い強磁性物質で重要になると期待される。この場合磁壁の厚さは原子間隔程度まで圧縮されるはずである。ナノスケール磁性接合の磁気抵抗については、昨年度の巨大な磁気抵抗の理論的説明をさらに詰めることを行った。状態密度の分極率の小さいFeを用いたり乱れの強い物質を用いた場合の計算を行い、その様な物質を用いた実験結果を磁壁による散乱効果で統一的に説明することができた。この一連の研究によりナノスケール磁性接合の磁気抵抗特性の基本的なところは明らかになったと考える。ナノ接合における強い磁壁の効果は高密度記憶デバイスへの応用の可能性が期待される。また量子コヒーレンス起源の磁気抵抗の現れうる他の場合として、通常の多層膜巨大磁気抵抗系の低温での面内磁気抵抗も議論した。低温では量子コヒーレンスの成長とともに異常な磁気抵抗が現れることを予言した。

Representatives of the recent research include calculation of magnetic resistance of magnetic walls in thin wires by magnetic bonding, and progress of this year's research.まずは Resistance の origin で あ る Magnetic wall に よ る Scatter の reaction と し て Electronic system に よ る Magnetic wall へ の Pressure force を Discussion し た. The magnetic wall is scattered and electronic, and the magnetic wall is thick and magnetic. Strong い scattered を lead き rise こ す thin い magnetic wall の ほ う が electronic system を stabilization さ せ る こ と が わ か っ た.つまりElectronic system によりMagnetic wall を姧 shrinkage する力が生じることになる.しかしこの力はNormal migration of elements のMagnetic wall を変shaped するには Foot らず、Exchange interaction のWeak いstrong magnetic substance でimportant になるとexpectation される. In this case, the thickness of the magnetic wall and the degree of atomic spacing are also the same as the pressure shrinkage.ナノスケールMagnetic bonding のMagnetic 気 resistance については, explanation of last year's huge のMagnetic 気 resistance の theory をさらに诘めることを行った. The polarization rate of the state density is small, the Fe is small, and the strong matter is strong.その様な Material を Use いた実験 Results を Magnetic wall に よ る Scattered effect で Unified に Description す る こ と が で き た.この一连の Research によりナノスケールMagnetic joint のMagnetic resistance characteristics の Basic なところは明らかになったとtestえる. The effect of the strong magnetic wall and the possibility of using the high-density memory in the joint are expected.またQuantum コヒーレンスgenesisのMagnetic 気resistant のpresent れうるhis のoccasion として, the usual のmultilayer film giant magnetic 気resistant system のlow temperature でのin-plane magnetic 気resistant も Discussion した. Low-temperature では quantum コヒーレンスの growth とともに abnormal なmagnetic resistance がNow れることを した.

项目成果

A.Brataas,G.Tatara and G.Baner: "Ballistic and diffuse transport through a ferromagnetic domain wall"Phys. Rev.. B60. 3406-3413 (1999)

A.Brataas、G.Tatara 和 G.Baner：“通过铁磁畴壁的弹道和扩散传输”Phys。

G.Tatara,Y-W.Zhao,M.Munoz and N.Garcia: "Domain Wall scattering explains 300% Ballistic magnetoconductance of nanocontacts"Phys. Rev. Lett.. 83. 2030-2033 (1999)

G.Tatara,Y-W.Zhao,M.Munoz%20and%20N.Garcia:%20"域%20Wall%20scattering%20解释%20300%%20Ballistic%20magnetoconductance%20of%20nanocontacts"Phys.%20Rev.%20Lett..%

G.Tatara: "domain wall resistance based on Laudauer's formala"J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 2969-2972 (2000)

G.Tatara：“基于 Laudauer 福尔马拉的磁畴壁电阻”J.Phys.Soc.Jpn.. 69. 2969-2972 (2000)

G.TATARA,H.Fukuyama: "Anomalous magneto resistance by dephasiong in a disordered layer with ferromagnetic boundary"J.Phys.Soc.Jpn. 69. 2407-2410 (2000)

G.TATARA，H.Fukuyama：“铁磁边界无序层中相移导致的异常磁阻”J.Phys.Soc.Jpn。

G.Tatara,Y.Tokura : "Electronic Pressure on ferromagnetic domain wall"Solid.Stale Communications. 116. 533-538 (2000)

G.Tatara、Y.Tokura：“铁磁畴壁上的电子压力”Solid.Stale Communications。