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欠陥荷電状態制御による半導体発光素子の長寿命化

通过控制有缺陷的电荷状态来延长半导体发光器件的寿命

基本信息

批准号：
11750006
负责人：
目良裕
金额：
$ 1.34万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

(1)STM光吸収スペクトロスコピー測定システムのセットアップ最近当グループで開発したSTM光吸収スベクトロスコピー測定を当研究課題について行うため、現有の超高真空STMに、半導体レーザー、ハロゲンランプ、分光器、集光系などを組み合わせ、上記測定システムを構築し調整した。(2)低温成長GaAsエピタキシャル膜試料の作成分子線エピタキシー蒸着法により、砒化ガリウムウェハー上に、250℃という低温でエピタキシャル膜を成長させた。これは、低温GaAsエピタキシャル膜がアンチサイトの砒素を多く含むために歪んでおり、基板との界面に、高濃度で転位が存在するためである。(3)STM光吸収スペクトロスコピー法による測定上記において構成した装置を用いて、低温成長した砒化ガリウムエピタキシャル膜ウェハーを真空中で劈開し、その断面STM測定を行った。GaAs中の転位は、バンドギャップ中に深い準位を持ち、キャリアの再結合中心になると考えられている。界面に多く存在すると思われる転位による光吸収STMシグナルは現在までは検出されていない。これは、転位芯におけるキャリアの再結合確率が従来考えられてきた値より小さいか、あるいは照射光強度が十分ではなかったためと考えられる。

(1) STM light absorption スペクトロスコピー measurement システムのセットアップ Recently STM light absorption measurement method is a research topicいて行うため, existing ultra-high vacuum STMに, semiconductor レーザー, ハロゲンランプ, spectrometer, light collecting system combination, and measurement and adjustment of the above-mentioned measurement system. (2) Steaming method for producing molecular wires using low-temperature growth GaAs sterilized film samples , arsenic ガリウムウェハー上に, 250℃ low temperature でエピタキシャル film を growth させた.これは, low-temperature GaAs エピタキシャル film がアンチサイトの砒素を多くむThe distortion of the substrate, the interface of the substrate, and the existence of high-concentration bits. (3) STM light absorption スペクトロスコピー method による measurement The above-mentioned において configuration and equipment を use いて, low temperature The long した arsenicized ガリウムエピタキシャル film ウェハーを was split in vacuum and the cross section was measured by STM. In GaAs, the position is high, the center is deep, the position is deep, and the center is rejoined. Interface に多くexistent すると思われる転 Position によるLight absorption STM シグナルはNow までは検出されていない.これは、転 Position coreにおけるキャリアの combined with the accuracy が従 to test えられてきた値よThe light intensity of り小さいか, あるいは is very high.