高効率ダイヤモンド平面構造型電子エミッターの作製と電子特性解析

高效金刚石平面电子发射体的制备及电子性能分析

基本信息

  • 批准号:
    12750271
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

水素終端ダイヤモンド表面は負性電子親和力を示し,この特性が電子エミッター応用に重要であるが,大気中にさらすと表面にp形の導電性が生じる.昨年度の研究成果から,このp形の導電性は,電子エミッションにはむしろ不適であることが明らかとなった.本年度では,このp形導電性の制御に重点をおき,さらに,ドナーライクセンターの導入,電極構造の最適化を行った.1.水素終端ダイヤモンド表面の導電性制御水素終端表面の導電性を制御するために,これを誘起する起源が,ダイヤモンド表面への大気中からの吸着種である可能性に着目した.ダイヤモンド表面導電性の大気中での影響を詳細に調査し,in situプロセスによるダイヤモンド表面のパッシベーションを試みた.in situプロセスにより,PLD法によるアモルファスCaF_2をダイヤモンド表面に堆積させることにより,水素終端ダイヤモンド表面の導電性の発現機構検証ならびにその制御に成功した.2.サルファードープによるドナーライクセンターの導入SF_6ドープによるダイヤモンド薄膜のn形化を試みた結果,ドナーライクセンターの導入の可能性が明らかとなった.イオン注入によるサルファードープしたダイヤモンド薄膜のエミツション特性は,閾値電界はドープ量に依存しない一方,エミッション電流値は,ドープ量の増大に伴い増加した.サルファードープに伴いエミッションエリアが実効的に増大した可能性が考えられる.3.カソード構造を最適化することによるエミッション特性の改善従来の3極構造エミッターでは,カソード直前に存在する電位障壁が電子放出効率を抑制していた(約0.1〜0.3%).この電位障壁を軽減させるために,カソード近傍に新しい電極を導入した.この4極構造により,ダイヤモンド電子エミッターを作製し,電子エミッション特性を測定した結果,電子放出効率の改善(1%以上)に成功した.
At the end of the water supply, the electrical and mechanical properties of the surface are measured, the electrical properties of the electrical devices are used, and the electrical properties of the surface are of great importance, and the electrical properties of the surface are not as good as those on the surface. The results of yesterday's research were in the shape of electricity and electricity, and the electricity and electricity were very important. This year, the p-shaped electrical power system focuses on the production and control of key industries, such as the number of employees, the number of employees, and the number of people who participate in the program. The surface of the water is electrically controlled, the surface of the water is electrically controlled, the origin of the water is affected, and the temperature in the surface is affected by the possibility of absorption. In the large scale of the electrical properties of the surface, there is a negative effect on the surface. The in situ is sensitive. The surface is sensitive. The in situ is sensitive, and the PLD method is sensitive. The CaF_2 stack is different from each other. At the end of the water supply, the surface electrical power supply system has been successfully implemented. 2. In this paper, the results of the experiment on the formation of thin films in SF_6 were analyzed. The results show that there are significant differences between them. In order to improve the performance of the thin film, the power supply of the electrical industry is dependent on the current current, and the volume of the thin film is very high. I don't know what's going on. I don't know what's going on. 3. The most efficient way to improve the performance of the battery is to improve the performance of the battery, and the discharge rate of the barrier cell is very low (about 0.1-0.3%). The barrier of the electric potential will be closed, and the new electric power supply will be added to the battery. In 4% of the time, the electrical equipment was successfully tested, and the emission rate was improved (more than 1%).

项目成果

期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Hideki Kawamura: "Fabrication of Planar Diamond Electron Emitters for Flat Panel Displays "Mat.Res.Soc.Symp.Proc.. 558. 155-160 (2000)
Hideki Kawamura:“用于平板显示器的平面金刚石电子发射器的制造”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.. 558. 155-160 (2000)
  • DOI:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Tetsuro Maki: "The Great Improvement of Surface Smoothness of CaF_2 in Pulsed Laser Deposition for Fabrication of Diamond MIS Structure"in Function Evolution of Materials and Devices(FEMD) Newsletter. 3・4(to be published). (2002)
Tetsuro Maki:“用于制造金刚石 MIS 结构的脉冲激光沉积中 CaF_2 表面光滑度的巨大改进”,载于《材料与器件的功能演化》(FEMD) 通讯 3・4(待出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Takeshi Hosomi: "Enhanced Diamond Film Growth by Xe-Added Microwave Plasma CVD"Thin Solid Films. 368. 269-274 (2000)
Takeshi Hosomi:“通过添加 Xe 的微波等离子体 CVD 增强金刚石薄膜生长”固体薄膜。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Tetsuro Maki: "Advanced Formation Process of Diamond MIS Structures for High-Performance MISFET Applications"The 5th Int.High Temperature Electronics Conference Albuquerque, New Mexico, 2000,. (to be publiched.).
Tetsuro Maki:“用于高性能 MISFET 应用的金刚石 MIS 结构的先进形成工艺”第五届国际高温电子会议,新墨西哥州阿尔伯克基,2000 年。
  • DOI:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Tetsuro Maki: "X-Ray Photoelectron Spectroscopy Characterization of Diamond Thin Film Surfaces for Electronic Device Application"Jpn.J.Appl.Phys.. 39(6B). L575-L578 (2000)
Tetsuro Maki:“用于电子设备应用的金刚石薄膜表面的 X 射线光电子能谱表征”Jpn.J.Appl.Phys.. 39(6B)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2004
  • 资助金额:
    $ 1.34万
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    1996
  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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