分子動力学支援カイネティックモンテカルロ法による不整合薄膜結晶成長の研究
分子動力学支援カイネティックモンテカルロ法による不整合薄膜結晶成長の研究
利用分子动力学辅助动力学蒙特卡罗方法研究失准薄膜晶体生长
批准号：
12750581
负责人：
前 一樹
金额：
$0.38万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 2001
中文摘要
翻译
カイネティック・モンテカルロ(KMC)法は薄膜結晶成長を実時間スケールで現実的にシミュレートする手法として広く用いられている。しかし従来の一般的なKMC法では薄膜原子が占める位置は格子点に限られるため、成長に伴う薄膜の構造変化までは取り入れることができなかった。研究代表者が開発した分子動力学(MD)支援KMC法は局所的な非平衡構造の緩和をMD法で扱い、熱活性な拡散をKMC法で扱うことによって構造変化を伴う薄膜成長をより現実的にシミュレートする方法である。本研究は、MD支援KMC法をヘテロエピタキシーにおける重要な古典的問題および最近の問題に適用し、その有効性を実証すると共に、実験的に知見を得ることが難しい成長中の構造変化やパターン形成の動的メカニズムについて明らかにすることを目的としている。bcc(110)上のfcc金属の成長をAg, Cu/Mo(110)を例として取り上げて研究した。Ag/Mo, Cu/Moはそれぞれ実験的に知られているKurdjumov-Sachs, Nishiyama-Wasserman方位関係をとることがシミュレーションで再現され、MD支援KMC法の有効性が示された。SiとGeの(100)-2x1再配列表面上のホモエピタキシーおよびヘテロエピタキシーについて、表面孤立原子の表面拡散の活性化エネルギーを多体ポテンシャルであるModified Embedded Atom Methodを用いて計算した。面内超格子を形成している表面の成長のKMCシミュレーションを行い、ストライプの境界を横切るジャンプの障壁の非対称性が大きいこと、誤ったサイトからの離脱確率が大きいことが良い面内超格子成長にとって重要であることを示した。
英文摘要
カイネティック・モンテカルロ(KMC)法は薄膜結晶成長を実時間スケールで現実的にシミュレートする手法として広く用いられている。しかし従来の一般的なKMC法では薄膜原子が占める位置は格子点に限られるため、成長に伴う薄膜の構造変化までは取り入れることができなかった。研究代表者が開発した分子動力学(MD)支援KMC法は局所的な非平衡構造の緩和をMD法で扱い、熱活性な拡散をKMC法で扱うことによって構造変化を伴う薄膜成長をより現実的にシミュレートする方法である。本研究は、MD支援KMC法をヘテロエピタキシーにおける重要な古典的問題および最近の問題に適用し、その有効性を実証すると共に、実験的に知見を得ることが難しい成長中の構造変化やパターン形成の動的メカニズムについて明らかにすることを目的としている。bcc(110)上のfcc金属の成長をAg, Cu/Mo(110)を例として取り上げて研究した。Ag/Mo, Cu/Moはそれぞれ実験的に知られているKurdjumov-Sachs, Nishiyama-Wasserman方位関係をとることがシミュレーションで再現され、MD支援KMC法の有効性が示された。SiとGeの(100)-2x1再配列表面上のホモエピタキシーおよびヘテロエピタキシーについて、表面孤立原子の表面拡散の活性化エネルギーを多体ポテンシャルであるModified Embedded Atom Methodを用いて計算した。面内超格子を形成している表面の成長のKMCシミュレーションを行い、ストライプの境界を横切るジャンプの障壁の非対称性が大きいこと、誤ったサイトからの離脱確率が大きいことが良い面内超格子成長にとって重要であることを示した。
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K.Mae: "Single adatom diffusion in homo^- and heteroepitaxies of Si and Ge on (100)-2xl surfaces modeled by MEAM"Thin Solid Films. 395. 235-239 (2001)
K.Mae：“通过 MEAM 模拟的 (100)-2xl 表面上 Si 和 Ge 的同质和异质外延中的单吸附原子扩散”固体薄膜。
K.Mae：“通过 MEAM 模拟的 (100)-2xl 表面上 Si 和 Ge 的同质和异质外延中的单吸附原子扩散”固体薄膜。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
K.Mae: "Molecular dynamics aided kinetic Monte Carlo simulations of thin film growth of Ag on Mo(110) with structural evolution"Surface Science. 482-485. 860-865 (2001)
K.Mae：“分子动力学辅助 Ag 在 Mo(110) 上薄膜生长的动力学蒙特卡罗模拟以及结构演化”表面科学。
K.Mae：“分子动力学辅助 Ag 在 Mo(110) 上薄膜生长的动力学蒙特卡罗模拟以及结构演化”表面科学。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
K.Mae: "Molecular dynamics aided kinetic Monte Carlo simulations of thin film growth of Ag on Mo (110) with structural evolution"Surface Science. (発表予定).
K.Mae：“分子动力学辅助 Mo (110) 上 Ag 薄膜生长的动力学蒙特卡罗模拟以及结构演化”《表面科学》（即将发表）。
K.Mae：“分子动力学辅助 Mo (110) 上 Ag 薄膜生长的动力学蒙特卡罗模拟以及结构演化”《表面科学》（即将发表）。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
K.Mae: "Kinetic growth conditions maintaining lateral superlattice structures"Surface Science. (発表予定).
K.Mae：“维持横向超晶格结构的动力学生长条件”表面科学（待提交）。
K.Mae：“维持横向超晶格结构的动力学生长条件”表面科学（待提交）。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
K.Mae: "NUCLEATION OF TWO DIMENSIONAL CLUSTERS OF Ag ON Mo (110) "Transactions of Materials Research Society of Japan. 25. 963-966 (2000)
K.Mae：“Mo (110) 上 Ag 的二维簇的成核”《日本材料研究学会汇刊》。
K.Mae：“Mo (110) 上 Ag 的二维簇的成核”《日本材料研究学会汇刊》。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
共 7 条
エピタキシャル形状記憶合金薄膜におけるマルテンサイト変態機構
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批准号：14750542
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.18万
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财政年份：2002
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负责人：前 一樹
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依托单位：
海外基金