CaO系化合物生成-分解サイクルによる新しい白金系貴金属分離精製プロセス
CaO系化合物生成-分解サイクルによる新しい白金系貴金属分離精製プロセス
批准号:
13875143
负责人:
福山 博之
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2002
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英文摘要
本研究では,化学的に安定な白金系貴金属も,ある温度域においてはCaOと安定な化合物を生成することに着目し,従来の方法とはまったく原理の異なった新しい貴金属の分離・精製の可能性を検討している。このCaO-白金系貴金属化合物の生成・分解反応を利用した新しい分離・精製プロセスを構築する上で,CaO-白金系貴金属化合物の熱力学データが必要となるが,現在のところそのデータはほとんど報告されていない。したがって,まず,CaF_2固体電解質を用いた次式で示される電池を構成し,I:Au,O_2,CaO+CaF_2|CaF_2|Ca_4PtO_6+CaF_2,O_2,PtII:Au,O_2,CaO+CaF_2|CaF_2|CaPtO_3+CaF_2,O_2,PtCa_4PtO_6およびCaPtO_3の標準生成Gibbsエネルギーを起電力法により決定した。セルIの測定は1273〜1313K,セルIIの測定は1123〜1173Kの温度範囲において行った。得られた起電力から求めたそれぞれの化合物の標準生成Gibbsエネルギーは次式のようになった。Δ_fG^O(Ca_4PtO_6)/kJmol^<-1>=-2,790+6.049×10^<-1>T(±4)Δ_fG^O(CaPtO_3)/kJmol^<-1>=-674.4+1.319×10^<-1>T(±1.2)これらの熱力学データに基づいて,Ca-Pt-O系の状態図を再評価した。
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清水圭一, 福山博之, 永田和宏: "起電力法によるCaPtO_3の標準生成ギブズエネルギーの測定とCa-Pt-O系状態図の作製"日本金属学会秋季大会,第129回,九産大,2001年9月. 249 (2001)
Keiichi Shimizu、Hiroyuki Fukuyama、Kazuhiro Nagata:“用电动势法测量CaPtO_3的标准形成吉布斯能量并制备Ca-Pt-O体系相图”日本金属学会秋季会议,第129届,九山大学,2001年9月249。 (2001)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
清水圭一, 福山博之, 永田和宏: "起電力法によるCa-Pt-O系化合物の標準生成ギブズエネルギーの測定とその相安定性"資源・素材学会春季大会,千葉工,2002年3月,(II)素材編. 150-151 (2002)
Keiichi Shimizu、Hiroyuki Fukuyama、Kazuhiro Nagata:“通过电动势法测量 Ca-Pt-O 化合物形成的标准吉布斯能及其相稳定性”日本资源材料学会春季会议,千叶工程,2002 年 3 月, (二)材料版150-151(2002)。
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
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通讯作者:
清水圭一, 福山博之, 永田和宏: "起電力法によるCaPtO_3の標準生成ギブズエネルギーの測定とCa-Pt-O系状態図の作製"日本金属学会秋期大会,第129回,九産大,2001年9月. 249 (2001)
Keiichi Shimizu、Hiroyuki Fukuyama、Kazuhiro Nagata:“用电动势法测量CaPtO_3的标准形成吉布斯能量并制备Ca-Pt-O体系相图”日本金属学会秋季会议,第129届,九山大学,2001年9月249。 (2001)
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影响因子:
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作者:
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通讯作者:
清水圭一, 福山博之, 永田和宏: "起電力法によるCa_4PtO_6の標準生成ギブズエネルギーとその安定領域の決定"日本金属学会春期大会,第128回,千葉工,2001年3月. 140 (2001)
Keiichi Shimizu、Hiroyuki Fukuyama、Kazuhiro Nagata:“用电动势法测定Ca_4PtO_6的标准吉布斯生成能及其稳定区域”日本金属学会春季会议,第128届,千叶工程,2001年3月。140(2001年) )
DOI:
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发表时间:
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影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
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作者:
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通讯作者:
種結晶からエピ成長まで一気通貫のバルク結晶技術の実現に向けたAlNロッドの開発
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批准号:22K18896
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2022
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负责人:福山 博之
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依托单位:
New concept for crystal growth of nitride semiconductors using extended degree of freedom
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批准号:21H04609
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.37万
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财政年份:2021
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负责人:福山 博之
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依托单位:
新しい高温化学反応場を用いた高品質窒化アルミニウム結晶の作製-極性と成長機構
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批准号:20676007
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
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资助金额:$56.49万
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财政年份:2008
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负责人:福山 博之
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依托单位:
高周波スパッター法による窒化サファイア基板上の高品質窒化アルミニウム厚膜結晶成長
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批准号:08F08079
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2008
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负责人:福山 博之
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依托单位:
サファイア窒化法によるAlN薄膜をベースにした高品質バルク結晶への展開
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批准号:19360341
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.98万
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财政年份:2007
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负责人:福山 博之
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依托单位:
深紫外発光デバイスに向けた単結晶窒化アルミニウム薄膜の新作製法
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批准号:16656233
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2004
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负责人:福山 博之
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依托单位:
地殻下部物質の地質学的地球化学的研究
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批准号:58540489
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1983
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负责人:福山 博之
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依托单位:
高温実験における自動化酸素分圧制御装置の製作およびマグマ中の酸素フガシティーの研究
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批准号:X00210----274259
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1977
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负责人:福山 博之
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依托单位: