课题基金 / 基金详情

種結晶からエピ成長まで一気通貫のバルク結晶技術の実現に向けたAlNロッドの開発

種結晶からエピ成長まで一気通貫のバルク結晶技術の実現に向けたAlNロッドの開発
开发AlN棒,实现从籽晶到外延生长的集成体晶技术
批准号:
22K18896
负责人:
福山 博之
金额:
$4.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2022-06-30 至 2024-03-31

项目摘要

项目成果

福山 博之的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
(1)AlN単結晶ロッドの成長プロセスの熱力学的検討本研究では、Fe-Al融液から蒸発するAlと窒素ガスが反応して固体のAlNが生成する。その際、AlN膜が、Fe-Al融液表面を覆ってしまうと,Alの蒸発が妨げられ、継続的な結晶成長ができない。そのため,融液表面ではAlNが生成しない条件を検討する必要がある.AlN生成反応の駆動力は,実験時の窒素分圧と反応の平衡定数およびFe-Al融液中のAlの活量によって支配される。各融液組成における駆動力の温度依存性を計算した結果、駆動力は、Fe-Al融液のAl濃度が上昇するほど,あるいは温度が低下するほど大きくなることが分かった。また,組成や温度によっては駆動力が負になる、つまりAlNが生成しない条件が存在することも分かった。この駆動力とAlの平衡蒸気圧を組み合わせて、Fe-Al融液表面では、AlN膜を生成させることなくAl蒸気を継続的に供給し,Al蒸気と窒素との反応によって、AlNを生成させる条件を明らかにした。(2)AlN単結晶ロッド成長実験上記の熱力学的考察に基づいて、Fe-Al合金から蒸発するAlを原料とした針状AlN結晶の気相成長を試みた。Fe-Al合金を入れたAlN坩堝を電気炉内に設置し、炉内を真空排気した後、Ar-N2ガスで置換した。その後、所定の温度に昇温し、一定時間保持して針状AlN結晶を成長させた。坩堝内壁には針状のAlN結晶が多数析出していた。この針状結晶は、SEM観察の結果、三角柱や六角柱等の多角柱形であることが分かった。六角柱状の結晶について、XRDを用いて結晶の極点図を取得したところ、長手方向が[001]方向であり、側面は(10-10)面から構成されている単結晶であることが分かった。また、この針状結晶のX線ロッキングカーブを測定したところ、その半値幅から配向性の高い単結晶であることが分かった。
英文摘要
(1)AlN単結晶ロッドの成長プロセスの熱力学的検討本研究では、Fe-Al融液から蒸発するAlと窒素ガスが反応して固体のAlNが生成する。その際、AlN膜が、Fe-Al融液表面を覆ってしまうと,Alの蒸発が妨げられ、継続的な結晶成長ができない。そのため,融液表面ではAlNが生成しない条件を検討する必要がある.AlN生成反応の駆動力は,実験時の窒素分圧と反応の平衡定数およびFe-Al融液中のAlの活量によって支配される。各融液組成における駆動力の温度依存性を計算した結果、駆動力は、Fe-Al融液のAl濃度が上昇するほど,あるいは温度が低下するほど大きくなることが分かった。また,組成や温度によっては駆動力が負になる、つまりAlNが生成しない条件が存在することも分かった。この駆動力とAlの平衡蒸気圧を組み合わせて、Fe-Al融液表面では、AlN膜を生成させることなくAl蒸気を継続的に供給し,Al蒸気と窒素との反応によって、AlNを生成させる条件を明らかにした。(2)AlN単結晶ロッド成長実験上記の熱力学的考察に基づいて、Fe-Al合金から蒸発するAlを原料とした針状AlN結晶の気相成長を試みた。Fe-Al合金を入れたAlN坩堝を電気炉内に設置し、炉内を真空排気した後、Ar-N2ガスで置換した。その後、所定の温度に昇温し、一定時間保持して針状AlN結晶を成長させた。坩堝内壁には針状のAlN結晶が多数析出していた。この針状結晶は、SEM観察の結果、三角柱や六角柱等の多角柱形であることが分かった。六角柱状の結晶について、XRDを用いて結晶の極点図を取得したところ、長手方向が[001]方向であり、側面は(10-10)面から構成されている単結晶であることが分かった。また、この針状結晶のX線ロッキングカーブを測定したところ、その半値幅から配向性の高い単結晶であることが分かった。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
福山研究室
福山实验室
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
New concept for crystal growth of nitride semiconductors using extended degree of freedom
  • 批准号:
    21H04609
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $26.37万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    福山 博之
  • 依托单位:
新しい高温化学反応場を用いた高品質窒化アルミニウム結晶の作製-極性と成長機構
  • 批准号:
    20676007
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
  • 资助金额:
    $56.49万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    福山 博之
  • 依托单位:
高周波スパッター法による窒化サファイア基板上の高品質窒化アルミニウム厚膜結晶成長
  • 批准号:
    08F08079
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.02万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    福山 博之
  • 依托单位:
サファイア窒化法によるAlN薄膜をベースにした高品質バルク結晶への展開
  • 批准号:
    19360341
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $12.98万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    福山 博之
  • 依托单位:
海外基金