アインシュタインの光電効果を用いた電子回路基板の非接触・非破壊検査に関する研究
利用爱因斯坦光电效应对电子线路板进行非接触无损检测的研究
基本信息
- 批准号:15656098
- 负责人:
- 金额:$ 1.92万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
電子回路基板の配線に用いられる金属にUVキセノンパルス光源を照射したときの光電子放出確率の基本的測定、ならびに、その表面状態依存性と真空度依存性などの基本的測定について昨年度実施した成果にもとづいて、今年度はUVキセノンパルス光源の走査・照射システムの設計・製作を行い、実用に供することができる配線基板の断線・短絡・導通の検査アルゴリズムとプログラムの開発を行って、光電効果による非接触・非破壊な光探針検査法を完成させるとともに、他分野への応用展開を検討することを目指して以下の研究を実施した。1)現有しているXYステージに真空チャンバーを取り付け、計測制御用パソコンからXYステージを制御することにより、真空チャンバー内の配線基板の任意の位置にUVキセノンパルス光源を集光照射することによって放出される全光電子数を検出するXYステージ走査型光電子電荷量測定システムを開発した。2)上で開発したXYステージ走査型光電子電荷量測定システムを用いて、配線基板の断線・短絡・導通の検査アルゴリズムとプログラム開発を行った。検査方法として以下の現象を利用した。(a)光電子を捕獲する電極電位をある値Vに保っておき、電気的に浮いている配線の部位Aに紫外光を照射すると、光電子の放射に対応した正電荷がその配線に蓄積され、電位が上昇する。(b)さらに、照射を続けるとその電位は捕獲電極電位Vまで上昇・飽和し、光電子放出が提言する。(c)この状態でその配線の他の部位Bに紫外線を照射すると、部位AB間が導通していれば飽和状態は変わらないし、断線していればその断線部位の電位は初期状態から捕獲電極電位Vまで上昇・飽和する。(d)このことは異なる配線間の短絡状態の検査にも適応できる。以上の検査アルゴリズムは原理的に可能であった。光短針ビーム径の小径化と走査速度の高速化が実現できれば、本研究の実用化の可能性は高い。
Basic measurement of photoelectron emission accuracy, UV light source, and surface texture using UV light source for wiring of electronic circuit substrates Basic measurement of state dependence and vacuum degree dependence, last year's results, this year's UV light source inspection and irradiationテムの Design and production・Short circuit・Conduction の検CHE アルゴリズムとプログラムの开発を行って, photoelectric The effect is non-contact and non-destructive. The light probe is used to check the method. It is completed. The dividing field is used to develop the research and study below. 1) Existing vacuum vacuum pumpsコンからXYステージをcontrol することにより、vacuum wiring board inside The location of the intended UV light source is the light source, and the light is irradiated and the light is released. Photoelectron number tester XY tester walk-through photoelectron charge measurement tester. 2) Use the XY tester for walk-through photoelectron charge measurement, Check the circuit board for disconnection, short circuit, and conduction.検How to check and exploit the following phenomena. (a) Photoelectron capture, electrode potential, V protection, and electron floating, wiring area A Ultraviolet light is irradiated, photoelectrons are emitted, positive charges are stored in wiring, and potential is raised. (b) The potential of the irradiation device, the potential of the capture electrode V, the rise and saturation, and the release of photoelectrons. (c) The state of the wiring is that the part B is irradiated with ultraviolet rays, and the part A is in a saturated state変わらないし、Breaking the potential of the disconnected part and the initial state of the trap electrode potential Vまでrise and saturationする. (d) Check the short-circuit status in the wiring room by checking the short circuit status of the wiring room. It is possible to use the above principle of checking the アルゴズムは. The diameter of the light short needle has been reduced to a smaller diameter and the inspection speed has been increased, and the possibility of using it in this study has been increased.
项目成果
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