反射赤外光弾性法を用いた半導体プロセス誘起歪みの測定

使用反射红外光弹性法测量半导体工艺引起的应变

• 批准号: 09875081
• 负责人: 山田 正良
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09875081/
• 关键词: プロセス誘起歪; 光弾性; 歪; 化合物半導体; 赤外光; ダイボンディング

1, 昨年度、赤外光カメラ、ビーム分技型グラン・トムソン偏光プリズム、レンズやフィルタなどの光学部品を組み合わせた光学機構部分、並びに、赤外光カメラからの画像信号をA/D変換した後フレーム・メモリに取り込み、コンピュータ上で処理ができる赤外画像処理システムを一体化した反射型顕微転外光弾性装置に関して、歪みを定量的に評価する手法を考案した。2, 開発した反射型顕微赤外光弾性装置と歪み定量評価手法を用いて、実際に化合物半導体のチップマウンティングプロセスで誘起される2次元的な歪み場が定量評価できることを示した。また、その歪みはチップマウンティングのプロセス温度から室温に冷却されるときのGaAsチップとCuヒートシンクの熱膨張差による熱応力により生じるものであり、その熱応力は軟らかい半田材料で完全に緩和するのではなく、1/10程度がチップに残留し、チップマウンティング誘起歪みとなっていることを明らかにした。3, 以上の研究結果を研究発表の欄に記載している国際会議に発表したところ、その有用性が大いに認められた。チップマウンティング以外の他の半導体プロセスにおけるプロセス誘起歪みの定量評価にも適用できる本反射型顕微赤外光弾性装置の各方面での利用が大いに期待された。

1. In the past year, the infrared light source, the infrared light source. The method of quantitative evaluation is examined. 2. Open reflection type infrared optical device and quantitative evaluation method are used in the field of compound semiconductor, which is induced by two-dimensional infrared field. The thermal stress of GaAs and Cu alloys due to thermal expansion difference at room temperature is completely reduced to 1/10 of the residual temperature. 3. The above research results are recorded in the column of the research report and the usefulness of the report is recognized in the international conference. The application of other semiconductor devices other than the reflective semiconductor devices in various aspects of quantitative evaluation of optical properties is greatly anticipated.

项目成果

Tao Chu: "Photoelastic Measurement of Chip-bonding Induced Strains by Infrared Polariscope" IEEE Catalog#98CH36129. 541-544 (1998)

陶储：“通过红外偏光镜对芯片键合引起的应变进行光弹性测量”IEEE目录

Tao Chu: "Photoelastic Measurement of Strain Induced by Die-bonding of GaAs Chip on Heatsink Plate" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38,Pt.1,No.28(印刷中). (1999)

陶初：“GaAs芯片在散热板上芯片焊接引起的应变的光弹性测量”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38，Pt.1，No.28（出版中）。

Tao Chu: "First Obsevation of GaAs Chip Bonded on Heatsink Plate with Reflection Type of Intrared Polariscope" Inst.Phys.Conf.Ser.No.160. 129-132 (1997)

陶初：“首次观察用反射型内置偏光镜粘合在散热板上的砷化镓芯片”Inst.Phys.Conf.Ser.No.160。

Tao Chu: "First observation of GaAs chip bonded on heatsink plate with reflection type of infrared polariscope" Proc.of 7th Int.Conf.on Defect Recognition and Image Processing,Templin,Germany,1997,Sept.7-10. (印刷中). (1998)

陶初：“用反射型红外偏光镜首次观察粘合在散热板上的砷化镓芯片”，第7届缺陷识别与图像处理国际会议论文集，Templin，德国，1997年，9月7-10日（出版中） ）（1998）。