タングステンファイバーシリコン薄膜太陽電池の開発

钨纤维硅薄膜太阳能电池的研制

• 批准号: 16656196
• 负责人: 本岡 輝昭
• 金额: $ 1.86万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2005
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16656196/
• 关键词: 太陽電池; タングステンファイバー; シリコン結晶薄膜; SiC薄膜; ショットキー接触

本研究では髪の毛程度の太さのタングステン金属(タングステンファイバー)を用いてシリコン太陽電池の作製を目指している。この目的のために本年度は、平成16年度に設計した赤外ゴールドイメージ炉を製作し、ランプ加熱による気相化学堆積(Chemical Vapor Deposition, CVD)装置を用いて、ショトキー障壁型タングステンファイバー太陽電池のプロトタイプ試作を目指した。CVDの原料ガスとしては、He希釈1%モノメチルシラン(CH_3SiH_3)を用いた。この原料ガスをCVD装置中に圧力30-100Pa、流量0.5-1.0L/minにて導入し、装置中心部に設置した直径100ミクロンのタングステンファイバー近傍を800℃で20-40分間ランプ加熱することにより、ファイバー上に薄膜を形成した。得られた薄膜の表面モフォロジーおよび断面構造を2次電子顕微鏡で観察し、タングステンファイバー上に膜厚0.5-1.0ミクロンの薄膜が成長していることを確認した。さらに、X線光電子分光法による原子組成分析、透過および反射電子顕微鏡観察を行うことにより、得られた薄膜は多結晶3C-SiCであることを見出した。当初目標としたシリコン薄膜形成条件については、現在引き続き検討中であるが、SiCも応用上有望な半導体であり、本研究で得られた直径100ミクロンのタングステンファイバー上への膜厚ミクロンオーダーの結晶性SiC薄膜形成技法は、今後の発展が期待される重要な成果である。

In this study, the degree of hair loss is too high. The metal is used as an indicator for the purpose of using the electrical energy pool. The purpose of this year is to design the equipment for this year and the year 16 in Pingcheng. This year, the equipment of Chemical Vapor Deposition (CVD) is used for the purpose of this year and the year 16 of Pingcheng. The equipment of phase chemical reactor (CVD) is used as an indicator. CVD raw materials are not available. He expects 1% of the raw materials to be used. (CH_3SiH_3) is used for this purpose. For raw materials, the temperature of the CVD device is 30-100Pa, the flow rate is 0.5-1.0L/min, and the central part of the device is equipped with a temperature of 100km in diameter. The temperature is 20-40 minutes near 800C, and the thin film is formed on the device. The growth of the thin film is confirmed by the growth of the thin film with a thickness of 0.5-1.0% on the surface of the thin film and the surface of the thin film. The atomic composition analysis was carried out by X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, and the temperature field was analyzed by scanning electron microscopy (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The samples were obtained by scanning electron microscopy (3C-SiC), X-ray photoelectron spectroscopy (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy. In this study, the thickness of the film has been improved, and the thickness of the film has been improved. In the future, we are looking forward to the important results of the preparation of crystalline SiC thin films.