グラファイト人工微細構造の電子物性

石墨人造微结构的电子性能

• 批准号: 17654056
• 负责人: 長田 俊人
• 金额: $ 1.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17654056/
• 关键词: 物性実験; グラファイト; 磁気抵抗; FET構造; プラズマ加工; メゾスコピック系

(1)グラファイトFET構造の作製条件の確立とフェルミ準位制御超薄膜グラファイト単結晶の電界効果トランジスタ(FET)素子構造を作製し、ゲート電圧によるフェルミ準位の制御を試みた。酸化膜付導電性Si基板上にKishグラファイトを粘着テープを用いて固定・劈開し、残ったグラファイト薄膜に対しリソグラフィー法により電極形成・エッチング整形を施して素子構造を作製する。各工程の条件最適化を行い素子作製手順を確立した。バックゲートとして使用する酸化膜付導電性基板には予め位置決めマークを設けておき、その上に付着・壁開して残ったグラファイト片のうち膜厚が極力薄い均一なものを光学顕微鏡で探し出し、マークを基準に位置座標を算出する。目標座標に電子線描画を施し、各種プロセスを重ねていく。電極はNiCrを接着層としてAuを真空蒸着した。またグラファイトの加工は酸素イオンビームによる反応性エッチング法で行った。以上の結果、ゲート電圧による伝導度制御(FET動作)可能な、厚さ10nm程度のグラファイト超薄膜FET素子が作製可能となった。(2)グラファイトFET素子を用いたフェルミ準位制御による強磁場磁気抵抗の研究作製した素子と現有の超伝導磁石(<13T)を用いて、強磁場磁気抵抗のゲート電圧依存性の測定を行った。まずShubnikov-de Haas振動のゲート電圧依存性からフェルミ準位の変化を確認した。バルク単結晶の場合、グラファイトの横磁気抵抗は磁場に対して線形に増加するという著しい特徴を持っ。実験の結果、薄膜化すると磁気抵抗の線形性が破れること、ゲート電圧を印加すると線形性が復帰する傾向があることを見出した。量子極限近傍における不純物ポテンシャルの遮蔽長の磁場変化によって、観測された現象を説明する可能性を検討した。

(1) the operating conditions of the FET system are established to ensure that the ultra-thin film mechanical properties are calibrated and controlled. The results show that the electrical equipment system (FET) is used as a device, and the electrical engineering system is used to control the performance of the ultrathin film. The acidified film is used to fix and split the Kish film on the electrical Si substrate, and the residual film is fixed and split. The residual film is split and the plastic film is used to make plastic surgery. The conditions of each project are most optimized, and Suzi is used as a manual to ensure the establishment of the project. The thin film acidizing film is used to determine the position of the electrical substrate, and the thin film thickness of the thin film is used to detect the thickness of the film, and the position of the substrate is calculated by the position sensor. The purpose of this paper is to use the electronic drawing system, and all kinds of equipment to re-evaluate the system. The cathode NiCr is then used to steam the Au in vacuum. This is the processing of acid, anti-sex, anti-sex and anti-sex. The above results, the mechanical properties control (FET action), the thickness of the 10nm level of the ultra-thin film FET element may be affected. (2) to control the magnetic resistance of the magnetic field by measuring the magnetic field magnetic resistance of the FET, the magnetic field magnetic resistance of the existing superconducting magnet (& lt;13T) is used to determine the magnetic dependence of the magnetic field. Use the Shubnikov-de Haas vibration to confirm the location registration of the computer-dependent monitoring system. The results show that the transverse magnetic field is resistant to the magnetic field and the magnetic field is in the shape of the magnetic field. The results of the test, the thin-film magnetic resistance test, the thermal transmission test, the thin film test, the thin film test results, the thin film magnetic resistance test results, the thin film test results, the thin film magnetic resistance test results, the thin film magnetism resistance The quantum limit is used to shield the long magnetic field from the magnetic field, and to show the possibility of the magnetic field.

项目成果

Pulse Micromagnet for Practical High-Field Measurements

用于实际高场测量的脉冲微磁体

• 发表时间: 2005
• 期刊: Rev.Sci.Inst
• 作者: Minato;T.;Koehler;M.;Kimura;H.;Mann;I.;Yamamoto;T;品岡寛;E.Ohmichi et al.
• 通讯作者: E.Ohmichi et al.

Electric-Field Effect on the Angle-Dependent Magnetotransport Properties of Quasi-One-Dimensional Conductors

准一维导体角度相关磁输运特性的电场效应

• 发表时间: 2006
• 期刊: Phys. Rev. Lett. 96
• 作者: K. Kobayashi;M. Saito;E. Ohmichi;and T. Osada
• 通讯作者: and T. Osada

Upper Critical Field of β-Pyrochlore KOs_2O_6 Single Crystals

β-烧绿石KOs_2O_6单晶的上临界场

• 发表时间: 2006
• 期刊: Journal of Physical Society of Japan 75
• 作者: S.Fujiwara;M.Hashimoto;T.Itoh;H.Nakamura;長田 俊人;K.Kobayashi;T.Osada;E.Ohmichi
• 通讯作者: E.Ohmichi

層状低次元導体における磁気抵抗角度効果(II)-高電場下の層間磁気伝導-

层状低维导体中的磁阻角效应（二）-高电场下的层间磁导-

• 发表时间: 2006
• 期刊: 固体物理 42
• 作者: 長田俊人;蔵口雅彦;小早川将子;小林夏野;池田悟;大道英二
• 通讯作者: 大道英二

Giant negative magnetoresistance reflecting molecular symmetry in dicyano(phthalocyaninato)iron compounds

• DOI: 10.1143/jpsj.75.033703
• 发表时间: 2006-03-01
• 期刊: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
• 影响因子: 1.7
• 作者: Hanasaki, N;Matsuda, M;Inabe, T
• 通讯作者: Inabe, T