ナノショットキーゲート制御量子ナノドット集積デバイスによる単電子確率共鳴の観測
使用纳米肖特基门控量子纳米点集成器件观察单电子随机共振
基本信息
- 批准号:18651074
- 负责人:
- 金额:$ 2.3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、理論的に示唆された単電子確率共鳴を実験的に観測・実証することを目的とする。このために、独自の化合物半導体ナノショットキーゲート制御量子ナノデバイス技術(図3)を適用し並列集積量子ナノドット単電子トランジスタと各々のドット中の電子数変化をモニタするシステムを試作し、現象の実験的観測を行う。研究期間内の実績は、(1)単電子確率共鳴の物理レベルでの解析モデルを構築し、シミュレーションによる結果をほぼ定量的に説明できることを示した。このモデル化により、確率共鳴ピーク位置が単電子トランジスタの帯電エネルギーと結びついていることを明らかにした。(2)具体的な系の設計のため、確率共鳴方程式を数値解法するシミュレータを作成した。(3)実験的研究として、GaAs系エッチングナノワイヤとナノショットキーゲートを用い、単電子トランジスタとそのドット中の電子数を検出する量子細線トランジスタを集積した系を設計・試作した。解析により、試作した系において単電子検出が可能であることを確認した。さらに、試作した系においてマクロな電流検出を行い、その動作を確認した。(4)単電子トランジスタのコンダクタンス振動特性より電子数変化を間接的に検出する手法を検討し、単電子トランジスタを50素子並列した系のコンダクタンス振動の温度依存性に対しこれを適用することで、コンダクタンス振動の温度依存性に確率共鳴を示すピークが存在することを実験的に示した。
This study aims to demonstrate the accuracy of electron resonance in theory. This is a unique compound semiconductor technology (3), which is applicable to parallel integration quantum technology, single electron technology, electron number conversion in various fields, and measurement of phenomena. The results obtained during the study period are as follows: (1) Analysis of the physical structure of single electron resonance;(2) Quantitative description of the results; and (3) Analysis of the physical structure of single electron resonance. This is the first time that we've had a problem with this. (2)A numerical solution of the resonance equation for a specific system design is established. (3)The research of GaAs system has been carried out in the field of quantum fine wire integration. Analysis, try, try. This is a test run. (4)The temperature dependence of the vibration of a single electron in a single electron system is determined by the existence of resonance.
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fabrication and Characterization of A GaAs-based Three-Terminal Nanowire Junction Device Controlled by Double Schottky Wrap Gates
双肖特基绕栅控制的 GaAs 基三端纳米线结器件的制造和表征
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang;Tatsuya Nakamura
- 通讯作者:Tatsuya Nakamura
Schottky Wrap Gate Control of Semiconductor Nanowire Networks for Novel Quantum Nanodevice-Integrated Logic Circuits Utilizing BDD Architecture
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- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Kasai;T. Nakamura;Y. Shiratori;and T. Tamura
- 通讯作者:and T. Tamura
Properties of a GaAs single electron path switching node device using a single quantum dot for hexagonal BDD quantum circuits
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- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang;Tatsuya Nakamura;Rui Jia;Seiya Kasai;Seiya Kasai;Tatsuya Nakamura
- 通讯作者:Tatsuya Nakamura
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- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang
- 通讯作者:Wan-Cheng Zhang
Stochastic resonance among single-electron neurons on Schottky wrap-gate devices
肖特基绕栅器件上单电子神经元之间的随机共振
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.M. Hashim;S. Kasai;K. Iizuka;T. Hashizume;H. Hasegawa;Wan-Cheng Zhang;Tatsuya Nakamura;Rui Jia;Seiya Kasai;Seiya Kasai;Tatsuya Nakamura;Takahide Oya
- 通讯作者:Takahide Oya
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