ゲルマニウム結晶ウェハーの高温加圧加工によるX線用モノクロメーター結晶の研究

锗晶片高温压制加工X射线单色仪晶体的研究

• 批准号: 18656017
• 负责人: 中嶋 一雄
• 金额: $ 2.3万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18656017/
• 关键词: 結晶レンズ; 塑性変形; X線回折

本研究では、高温加圧加工法により、X線の一点集光が可能なモノクロメーター用ゲルマニウム結晶レンズを作製することを目的とした。まず、既存の加工装置で、SiやGe結晶ウェハーの高温加圧加工が可能な条件・範囲を精密に決定した。加工温度、荷重、加工時間等をパラメータとして、系統的な加工実験を行った結果、融点近傍の温度において、ゲルマニウム単結晶ウエハーを任意の形状に加工できる条件が明らかとなった。また、面方位の異なるウエハーに対して、それぞれ加工性を調べた。いずれのウエハーに対しても、良好な加工を施せる条件が明らかとなった。高温加圧加工後の結晶に対して、透過電子顕微鏡観察により転位密度の測定を行った結果、より高温で変形した結晶ほど転位の導入量が少なく結晶性がよいことがわかった。この加工条件をベースに、曲率半径が30mm〜600mmの範囲の、さまざまな焦点距離を持つゲルマニウム結晶レンズの作製を試みた。これらの結晶レンズに対して、光学顕微鏡、電子顕微鏡観察およびX線回折により結晶評価を行い、設計どおりの曲率を有する結晶レンズが得られているか確認した。ウエハーのエッジ部において、変形量が不足する領域が存在するものの、概ね目的の曲率を有するゲルマニウム結晶レンズが得られた。実際にX線を用いて集光試験を行ったところ、ゲルマニウム結晶レンズの曲率に応じた焦点位置において、X線が集光することが確認された。

In this study, the high temperature processing method is used to collect light. It is possible to use the crystal structure of the high temperature processing method to achieve the desired results. It is possible that the condition range may be determined by the precision of the condition range, the existing machining device, the Si Ge crystal, the high temperature processing machine. Processing temperature, load, processing time, etc., processing temperature, load, processing time, processing temperature, temperature and temperature. The orientation and orientation of the face and face, the processing property and the processing property. Good processing, good processing and good processing. After high-temperature processing, the results of high-temperature mechanical properties were measured by means of electron microscope. the results of high-temperature mechanical properties were measured by electron microscope. after high-temperature processing, the results of high-temperature mechanical properties were measured by electron microscope. after high-temperature processing, the results of high-temperature mechanical properties were measured by electron microscope. after high-temperature processing, the results were measured by electron micrographs. The processing conditions, the radius of curvature, the 30mm~600mm range, and the focus distance of the radius of curvature are controlled by the processing conditions, the radius of curvature, the focus distance and the focus distance. The optical micrograph, the optical micrometer, the electronic micrometer, the X-ray foldback microscope, the optical micrometer, the optical micrometer, the Because of the fact that there is a problem in the field, and that the curvature of the system is affected by the curvature, the results show that there is a difference in the curvature of the field. The international system uses the light collection device to make sure that the focus position is in focus, and that the curvature is different.

项目成果

Si wafers having one-and two- dimensionally curved (111) planes examined by X-ray diffraction

通过 X 射线衍射检查具有一维和二维弯曲 (111) 平面的硅晶片

• 发表时间: 2006
• 期刊: J. Appl. Cryst 39
• 作者: H.Okuda;K.Nakajima;K.Fujiwara;S.Ochiai
• 通讯作者: S.Ochiai