スピングラスを用いた磁気記憶素子開発への基礎研究

使用自旋玻璃开发磁存储元件的基础研究

• 批准号: 05650019
• 负责人: 佐藤 徹哉
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650019/
• 关键词: スピングラス; 磁気相転移; 磁気異方性; 磁気記憶

スピングラス秩序の安定性の向上および磁気秩序の制御に関して以下の研究結果を得た。1.スピングラスNi_<71.5>Mn_<28.5>(300Å)およびスピングラスNi_<71.5>Mn_<28.5>(300Å)//Ag(300Å)/Ni(100Å)薄膜を作成し、磁化の温度依存性および時間依存性を調べ、強磁性層のスピングラス層に及ぼす影響を検討した。零磁場冷却と磁場中冷却後に測定したNiMn/Ag/Ni薄膜の磁化の温度依存性は、NiMn薄膜と比較して高温まで差を生じた。熱残留磁化M_rの時間依存性測定の結果をM_r=M_0‐S log tの関数により解析した。二つの試料において、スピングラスの緩和率を表すSは、ほぼ等しい温度で0になったが、NiMn/Ag/Ni薄膜の残留磁化M_0はNiMn薄膜に比べて高温まで有限に維持されることが分かった。この結果は、スピングラス状態が強磁性層を近付けることにより高温まで安定に維持されることを示唆する。2.現有のSQUID磁力計に石英ファイバをにより光(He‐Ne633nm)を導入し、スピングラス半導体Cd_<1‐x>Mn_xTeの光励起に伴う磁化の変化を測定した。その結果、等温残留磁化が光照射とともに減少した。この現象は熱残留磁化においても観測されたが、等温残留磁化と熱残留磁化とでは照射光強度依存性に違いが見られた。以上の結果から、強磁性体との多層化によりスピングラス秩序の安定性が向上することが分かった。また、スピングラス半導体において光励起による磁気秩序制御の可能性が見いだされた。3.現在、今回購入した温度可変インサートを現有のSQUID素子と組み合わせ、より詳細な実験のための温度可変交流SQUID磁化率測定系を作成中である。

Youdaoplaceholder0 グラス グラス order <s:1> stability <e:1> upward および magnetic order <e:1> control に relationship を て the following <s:1> research results を obtain た. 1. ス ピ ン グ ラ ス Ni_ < 71.5 > Mn_ < 28.5 > (300 a) お よ び ス ピ ン グ ラ ス Ni_ < 71.5 > Mn_ < 28.5 > (300 a)/(300 a)/Ni/Ag film を し consummate, magnetization (100 a) の temperature dependency お よ び time dependency を べ, strong magnetic layer の ス ピ ン グ The ラス layer に and ぼす affect を検 against た. Zero magnetic field cooling: After cooling in a と magnetic field に, the temperature dependence of <s:1> magnetization <e:1> of <s:1> たNiMn/Ag/Ni films was determined, and the と comparison of <s:1> て high temperature まで of NiMn films was found to be を worse than じた. The <s:1> result of the determination of the M_r <s:1> time dependence of thermal residue magnetization をM_r=M_0 - S log t <s:1> threshold number によ <s:1> analysis た た. Two つ の sample に お い て, ス ピ ン グ ラ ス の alleviation rate を table す S は, ほ ぼ etc し い temperature で 0 に な っ た が, NiMn/Ag/Ni film の residual magnetization M_0 は NiMn film に than べ て high-temperature ま で に maintain limited さ れ る こ と が points か っ た. こ の results は, ス ピ ン グ ラ ス state が strong magnetic layer を nearly pay け る こ と に よ り high-temperature ま で settle に maintain さ れ る こ と を in stopping す る. 2. Existing の SQUID magnetometer に quartz フ ァ イ バ を に よ り light (He ‐ Ne633nm) を import し, ス ピ ン グ ラ ス semiconductor Cd_ 1 ‐ < x > Mn_xTe の light excitation に with う magnetization の variations change を determination し た. Youdaoplaceholder0 そ results: Isothermal residual magnetized が light irradiation reduces とと に に. こ の phenomenon は thermal residual magnetization に お い て も 観 measuring さ れ た が, isothermal residual magnetization と thermal residual magnetization と で は irradiation light intensity dependence に violations い が see ら れ た. の above results か ら, strong magnetic body と の multiple stratification に よ り ス ピ ン グ ラ ス order の stability が upward す る こ と が points か っ た. Youdaoplaceholder0, スピ スピ グラス グラス semiconductor にお て て photoexcited による magnetic order control <s:1> possibility が see だされた だされた だされた. 3. Now, today back to buy し た temperature can - イ ン サ ー ト を existing の squids element child と group み close わ せ, よ り detailed な be 験 の た め の temperature can SQUID - ac magnetic susceptibility measurement system を made in で あ る.

项目成果

佐藤徹哉(入江雄一郎): "Spin freezing in high Mn concentrated Cd_<i‐x>Mn_xTe system" Japanese Journal of Applied Physics. 33(印刷中). (1994)

Tetsuya Sato (Yuichiro Irie)：“高浓度 Mn Cd_<i-x>Mn_xTe 系统中的旋转冷冻”，《日本应用物理学杂志》33（出版中）。

佐藤徹哉(入江雄一郎): "Time dependent effect of magnetic and magneto‐optical properties in Cd_<i‐x>Mn_xTe" Japanese Journal of Applied Physics. 33(印刷中). (1994)

Tetsuya Sato (Yuichiro Irie)：“Cd_<i-x>Mn_xTe 中磁和磁光特性的时间相关效应”，《日本应用物理学杂志》33（出版中）。

佐藤徹哉: "Neutron depolarization analysis and snall angle neutron scattering studies of reentrant spin glass Ni_<77>Mn_<23>" Physical Review B. 48. 6074-6086 (1993)

Tetsuya Sato：“重入自旋玻璃 Ni_<77>Mn_<23> 的中子去极化分析和斯纳尔角中子散射研究”《物理评论》B. 48. 6074-6086 (1993)

佐藤徹哉: "Itinerant electron type helical‐spin glass transition in Cr_<0.31>Mn_<0.19>Ge" Physical Review B. 49(印刷中). (1994)

Tetsuya Sato：“Cr_<0.31>Mn_<0.19>Ge 中的流动电子型螺旋自旋玻璃化转变”物理评论 B. 49（出版中）。