半磁性半導体CdMnFeTeにおける多値記憶現象と光誘起磁化に関する研究

半磁半导体CdMnFeTe多级存储现象及光致磁化研究

• 批准号: 07650020
• 负责人: 佐藤 徹哉
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07650020/
• 关键词: 半磁性半導体; スピングラス; 多値記憶; 光誘起磁化; ファラデー効果

Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe(x=0.37,y=0.01)試料で観察される高温スピングラスに伴う多値記憶現象および光誘起磁化が、束縛磁気ポーラロンの成長と関連するとの見通しを確認するために、CdMnTe試料の電気抵抗・ホ-メ効果および光誘起磁化測定を行った。まず、磁気ポーラロンの束縛中心を同定するために電気的性質を調べた。CdMnTeではホールがキャリアであり、2種のアクセプタが存在し、非常に強く補償されていることが明らかとなった。さらに、これらの準位とCd空孔との関連を調べるために、Cd蒸気中で試料の熱処理を行ったが、電気・磁気的性質に本質的な影響は観測されなかった。以上の電気測定から束縛中心がアクセプタ準位であることはほぼ明かとなったが、準位の同定までには到らなかった。一方、Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe(x=0.37,y=0.01)の電気測定では、電気抵抗が非常に大きいため十分な精度が得られなかった。CdMnTeの光誘起磁化測定では、Mn濃度の増加と共に光誘起磁化の絶対値は減少するが、磁場0の残留値が増加することを見出した。この光誘起磁化の現象は束縛磁気ポーラロンに含まれるMnスピン数の組成依存性から説明され、光誘起磁化と束縛磁気ポーラロンとの強い相関および残留光誘起磁化とスピングラス秩序との関連が確認された。この結果は、Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe(x=0.37,0=0.01)で巨大光誘起磁化がFeモーメントにより促進される磁気ポーラロンの成長に起因するとの見通しを支持する。光誘起磁化を光学的に観測するために、光誘起ファラデー効果測定系を作製した。この系では、光ファイバーにより磁化誘起光を試料に照射し、その照射位置を変化させながら測定光によりファラデー効果を測定することが可能である。現在その系の調整を進め、測定準備を行っている。

Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe (x = 0.37) is used to observe the temperature response of high temperature and high temperature, with multiple records, such as the magnetization of light, the growth of magnetization, the confirmation of temperature, the resistance of CdMnTe and the detection of magnetization. The center of magnetic equipment and magnetic equipment is the same as determining the performance of the electric power plant. CdMnTe is very important for the distribution of information, the existence of two types of information, and the availability of information. The location of the Cd empty hole, the material in the Cd steamer, the electrical magnets, the electrical magnets, and the electrical magnets. The above electronic measurement center is required to determine the location, registration, and registration of the equipment. On the one hand, Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe (x = 0.37) electronic measurement equipment, the electronic resistance is very high, and the accuracy is very high. CdMnTe optical magnetization measurement, Mn magnetization measurement, optical magnetization measurement, magnetic field residual magnetization, magnetization, magnetization. The magnetization of the beam is like the magnetization of the beam, and the number of the Mn is dependent on the magnetization of the beam, the magnetization of the residual light, the magnetization of the residual light, the magnetization of the residual light. The results show that Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe (x = 0.37, 00.01) has a great effect on the magnetization of Fe magnetization, which promotes the growth of magnetism. The light is magnetized. The light is magnetized. The light is magnetized. The system, the light, the light. At present, the whole process is in progress, and the test is ready to be completed.

项目成果

Y. Irie, T. Sato and E. Ohta: "Weak ferromagnetic behavior of Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe(y〜0.01)" Journal of Magnetism and Magnetc Materials. 140-144. 2027-2028 (1995)

Y. Irie、T. Sato 和 E. Ohta：“Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe(y〜0.01) 的弱铁磁行为”《磁性与磁性材料杂志》140-144（1995）。

Y. Irie, T. Oku, Y. Yamaguchi, T. Sato and E. Ohta: "High temperature spin freezing behavior in Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe" Journal of Crystal Research and Technology. (印刷中). (1996)

Y. Irie、T. Oku、Y. Yamaguchi、T. Sato 和 E. Ohta：“Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe 中的高温自旋冻结行为”《晶体研究与技术》杂志（1996 年出版）。

T. Sata, T. Taniyama, T. Oku, S. Ito and M. Takeda: "Magnetization Process in helical-spin glass reentrant Cr_<0.81>Mn_<0.19>Ge studied by neutron depolarization analysis" Journal of Crystal Research and Tochnology. (印刷中). (1996)

T. Sata、T. Taniyama、T. Oku、S. Ito 和 M. Takeda：“通过中子去极化分析研究螺旋自旋玻璃重入 Cr_<0.81>Mn_<0.19>Ge 的磁化过程”《晶体研究与技术杂志》 （出版中）。

Y. Irie, T. Sato and E. Ohta: "Observation of high temperature spin freezing behavior in Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe" Physical Review B. 51. 13084-13090 (1995)

Y. Irie、T. Sato 和 E. Ohta：“Cd_<1-x-y>Mn_xFe_yTe 中高温自旋冻结行为的观察”物理评论 B. 51. 13084-13090 (1995)