島状金属薄膜の負性抵抗と発光・電子放出現象

岛状金属薄膜的负电阻与发光/电子发射现象

• 批准号: 05650031
• 负责人: 魚住 清彦
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Aoyama Gakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650031/
• 关键词: 負性抵抗; 発光現象; 電子放出; 帯電エネルギー

負性抵抗の観察発光,電子放出の解析の前に、非常に特徴的な負性抵抗を重点的に調べた。フォーミングにより連続的な低抵抗膜が、いったん高抵抗になりその後に特徴的な負性抵抗を示す。SEMで観察した結果、亀裂が入りその中に微粒子島状膜が出来ていた。Au,Pt,Pbで顕著な負性抵抗が観察されたが、Auに比べて、Pt,Pdでは負性抵抗の落ち込みが少ない。次に述べる負性抵抗の生ずる機構と関連して、フォーミングの過程で物質により、微粒子の大きさと分布が変化するためと考えられる。負性抵抗の原因電極間に分布した微粒子により、負性抵抗が生ずる可能性について理論的に考察を進めた。その結果、電極間に4つの島が存在する系について、モンテカルロシュミレーションにより負性抵抗現象を出すことができた。これは世界でも初めての結果であり、現在論文を準備中である。いわゆる単一電子トンネリングの階段状の電流電圧特性が生ずる原因は電子の供給する側は充分速くトンネル可能であり、電子が逃げていく側がトンネルしにくいときに微粒子に電子が貯まり、その個数が増加するごとにステップ上に電流増加する。電極から電極に4つの島を経て電子はトンネルする際に仮定したことは、最後の島のギャップは他に比して大きく、3番目の島は2番目の島よりも高電位側にあるとする。電圧が低いときは、帯電エネルギーが寄与して、2番目の島から3番目の島に容易に電子は移れるが、電圧は高くなると、逆バイアスとなるために、トンネルしにくくなり、第二の島に電子が貯まり、電子が貯まると第1の島から第二の島に移動しにくくなる結果、電流は減少する。同様のことが、高電界で、行き先のない島からの電子放出により、電流が流れている経路の近くの孤立した島が帯電すると、その経路の電流が減少することが起こりうる。この電子は容易には逃げられないので、いわゆるメモリー効果をもうまく説明する。

Negative resistance is the key to the detection of light emission and the analysis of electron emission. Low resistance film, high resistance film, negative resistance film. SEM observation results show that micro-particle island-like films are formed in the middle of the crack. Au,Pt,Pb have negative resistance, Au has negative resistance, Pt,Pd has negative resistance. The mechanism of negative resistance is related to the process of material formation and particle size distribution. The reason of negative resistance is that the distribution of particles between electrodes and the possibility of negative resistance are investigated. As a result, the existence of four islands between electrodes is a result of negative resistance phenomenon.これは世界でも初めての结果であり、现在论文を准备中である。The reason why the current voltage characteristics of the single electron generation are generated is that the electron supply side is full of speed, the electron escape side is full of speed, the electron storage side is full of particles, the number of electrons is increased, and the current is increased. The electrode is on the 4 th island of the electrode, and the electron is on the 3 th island of the electrode. The voltage is low, the voltage is high, the electrons are easy to move, the voltage is high, the electrons are easy to move, the voltage is low, the electrons are easy to move, the electrons are easy to move, the current is easy to move, the electrons are easy to move, the electrons are easy to move, the current is easy to move In the same way, the high electric field, the first island, the electron emission, the current flow, the current flow. The electron is easy to escape from, and the effect is explained.