放射光励起不純物ドーピングの気相・表面光化学過程。

同步辐射激发杂质掺杂的气相和表面光化学过程。

• 批准号: 05650033
• 负责人: 宇理須 恒雄
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Okazaki National Research Institutes
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650033/
• 关键词: エピタキシャル; 赤外反射吸収スペクトル; 光化学反応; エッチング; 放射光

エッチング容器、エピタキシャル容器、試料交換容器、試料導入容器からなる放射光反応チャンバーを製作した。反応容器の真空立ち上げ(ベース真空度5×10^<-9>Torr)真空下での試料搬送テスト、試料加熱テスト(1200C以上達成)、RHEEDの動作テストを終了した。現在進めているガス配管を完了すれば光反応の実験をスタートできる。この装置製作と平行して、別途既設の反応装置を利用して放射光照射による光反応の実験を進めた。反応ガスとしてトリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウム、メチルエチルアミンアランの三種類の有機アルミニウム化合物を用い、SiO_2などの基板を113Kから180Kの低温に冷却し表面に吸着させ、放射光照射前後の反射赤外吸収スペクトルを測定した。このような絶縁物基板表面のモノレーヤオーダの吸着層の反射吸収スペクトルの測定は感度が低いためこれまでなされていない。本研究では埋め込み金属層の構成の基板、即ち、Al薄膜(約200nmの厚さ)の上にSiO_2膜(約15nmの厚さ)を推積した物を基板として利用することにより、サブモノレーヤに感度のある反射赤外吸収スクトルを測定することが出来た。また、上記のAl化合物はCVDによる半導体素子のアルミニウム配線に用いられるもので、表面吸着層の構造や化学反応特性などの基礎データが必要とされている。本研究により、これらの低温吸着層においては、多くの化合物が二量体の形を取っていること、また、これらが放射光の照射により二量体として蒸発することが解った。

Production of sample containers, sample exchange containers, sample introduction containers, etc. The vacuum of the reaction vessel is raised (vacuum degree 5×10^<-9>Torr), and the sample transfer temperature, sample heating temperature (above 1200C), and RHEED operation temperature are terminated under vacuum. Now the piping is complete. This device is manufactured in parallel with other reflective devices, and the use of radiated light to achieve optical reflection is further developed. Three kinds of organic compounds, namely, SiO_2, SiO_2, SiO The measurement sensitivity of the absorption layer on the insulating substrate surface is low. In this study, the substrate composed of the buried metal layer, i.e., Si, Al thin film (about 200nm thick) and SiO2 film (about 15nm thick) were deposited on the substrate. In addition, the Al compounds mentioned above are necessary for the formation of semiconductor elements, the structure of surface adsorption layers, and the chemical reaction characteristics. In this study, the low-temperature adsorption layer of the compound is composed of two components.

项目成果

Tsuneo Urisu: "Svnchrotron radiation assisted Si epitaxial growth:Comparison of growth characteristics between Si_<>H_6 and SiH_2Cl_2 gases." Appl.Phys.Lett.62. 2821-2822 (1993)

Tsuneo Urisu：“加速器辐射辅助硅外延生长：Si_<>H_6 和 SiH_2Cl_2 气体的生长特性比较。”