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面発光形半導体レーザの研究

面発光形半導体レーザの研究
面发射半导体激光器的研究
批准号：
56461001
负责人：
伊賀 健一
金额：
$5.25万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 1982
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-56461001/
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超並列光エレクトロニクス
  • 批准号：
    07CE2003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for COE Research
  • 资助金额：
    $693.12万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
超高速および超多重光伝送・光ネットワ-ク
  • 批准号：
    03244105
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $26.56万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
超高速および超多重光伝送・光ネットワーク
  • 批准号：
    04228104
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $62.4万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
面発光レーザへの混晶薄膜光・量子デバイスの積層集積
  • 批准号：
    60122002
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology