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半導体ヘテロ多層膜の成長と面発光レーザの低しきい値化への応用

半導体ヘテロ多層膜の成長と面発光レーザの低しきい値化への応用
半导体异质多层膜的生长及其在降低面发射激光器阈值电压中的应用
批准号：
59460116
负责人：
伊賀 健一
金额：
$4.74万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 1985
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-59460116/
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超並列光エレクトロニクス
  • 批准号：
    07CE2003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for COE Research
  • 资助金额：
    $693.12万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
超高速および超多重光伝送・光ネットワ-ク
  • 批准号：
    03244105
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $26.56万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
超高速および超多重光伝送・光ネットワーク
  • 批准号：
    04228104
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $62.4万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
面発光レーザへの混晶薄膜光・量子デバイスの積層集積
  • 批准号：
    60122002
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    伊賀 健一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology