面発光レーザへの混晶薄膜光・量子デバイスの積層集積

混合晶体薄膜光学/量子器件多层集成到表面发射激光器中

• 批准号: 60122002
• 负责人: 伊賀 健一
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60122002/
• 关键词: 半導体レーザ; 半導体多層膜; 誘電体多層膜; 有気金属気相成長; 液相成長; 光集積回路

本研究は、2次元アレー化や他の光素子との積層集積化が可能である面発光半導体レーザの高性能化及びこのレーザを基調とした光集積回路の実現を目的として行なったもであり、以下の研究成果を得た。1.面発光レーザ用DHウェハの膜厚制御性や成長表面の平坦性を向上するために、GaAlAs/GaAs 系有機金属気相成長装置の設計・製作を行ない、成長温度、【V】族・【III】族比等の成長条件を明かにし、厚膜活性層を有した面発光レーザ用DHウェハを成長し、フォトルミネッセンスやストライプレーザのしきい値電流密度等の測定からその特性評価を行なった。 その結果、しきい値電流密度3.6KA/【Cm^2】μmという従来の液相成長法によるものと同等以上の良質なDHウェハを得、面発光レーザへの応用の見通しを得た。 2.計算機制御された液相成長炉および有機金属気相成長炉を用いて、面発光レーザ用反射鏡として、GaInAsP/InP 及びAlAs/GaAs 混晶の1/4波長厚さの半導体多層膜の形成法を確立した。(1)液相成長法による50層のGaInAsP/InP 半導体多層膜を形成し、波長1.4μmで81%反射率を得た。(2)有機金属気相成長法により30層のGaAs/AlAs の半導体多層膜を形成し、波長1.05μmで最大96%の反射率を得た。 3.上記のGaInAsP/InP 多層膜反射鏡を実際に面発光レーザに応用し、77Kの低温ではあるが、発振に成功した。

は this study, two dimensional ア レ ー change や he の light element と の horizon set product change が may で あ る face 発 light semiconductor レ ー ザ の high-performance and び こ の レ ー ザ を tone と し た light set integrated circuit の purpose be presently を と し て line な っ た も で あ り research achievements, the following の を た. 1. Surface 発 light レ ー ザ with DH ウ ェ ハ の film thickness system royal sex の や growth surface flatness を upward す る た め に, GaAlAs/GaAs Is organic metal 気 の phase growth device design, production line を な い, growth temperature, [V], [III] than を の growth conditions, such as Ming か に し, thick film active layer を し た face 発 light レ ー ザ with DH ウ ェ ハ を growth し, フ ォ ト ル ミ ネ ッ セ ン ス や ス ト ラ イ プ レ ー ザ の し き い numerical determination of current density etc. の か ら そ の features review 価 な を line Youdaoplaceholder0. そ の results, し き い numerical current density of 3.6 KA/Cm ^ 2 microns 】 と い う 従 to の liquid growth method に よ る も の と equivalent の good quality な DH ウ ェ ハ 発 を, surface light レ ー ザ へ の 応 with の see tong し を た. 2. Computing mechanism royal さ れ た liquid growth furnace お よ び organometallic 気 phase growth furnace を using い て, face 発 light レ ー ザ with reflector と し て, GaInAsP/InP and び AlAs/GaAs mixed crystal の 1/4 wavelength thick さ の を の semiconductor multi-layers formation method to establish し た. (1) By the liquid-phase growth method, a による 50-layer <s:1> GaInAsP/InP semiconductor multilayer film を is formed with a wavelength of 1.4μm and a で reflectance of 81% を to obtain た. (2) The organometric-metal phase formation method によ によ 30 layers of <s:1> GaAs/AlAs <s:1> semiconductor multilayer films を are formed, <s:1> with a wavelength of 1.05μmで and a maximum <s:1> reflectance of 96% を to obtain た. 3. Written の GaInAsP/InP multilayer mirrors を be interstate に face 発 light レ ー ザ に の 応 し, 77 k cryogenic で は あ る が, vibration 発 に success し た.

项目成果

Electronics Letters. 21-4. (1985)

电子信件。

Electronics Letters. 21-7. (1985)

电子信件。

電子通信学会論文誌. J69C-1. (1986)

电子与通信工程师学会期刊 J69C-1 (1986)。

Trans.IECE of Japan. E68-2. (1985)

日本Trans.IECE。

IEEE J.Quant.Electron.QE21-6. (1985)

IEEE J.Quant.Electron.QE21-6。