课题基金 / 基金详情

ジシランを用いた光CVD法による高品質アモルファスSi膜の形成

ジシランを用いた光CVD法による高品質アモルファスSi膜の形成
使用乙硅烷通过光学CVD法形成高质量非晶硅薄膜
批准号：
58460060
负责人：
小長井 誠
金额：
$4.16万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 1984
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-58460060/
关键词：

项目摘要

项目成果

小長井 誠的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ナノ粒子を用いた第3世代シリコン薄膜太陽電池材料開発
  • 批准号：
    18656006
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    小長井 誠
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ワイドギャップ微結晶混晶を用いた新型シリコンヘテロ接合太陽電池の研究
  • 批准号：
    05F05328
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    小長井 誠
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
2光子吸収による電子・正孔対の生成と太陽電池応用
  • 批准号：
    16656009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    小長井 誠
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
高電子濃度窒化インジウム薄膜の極低温電気伝導機構に関する研究
  • 批准号：
    09875077
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    小長井 誠
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology