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非晶質シリコン層で覆われたサファイア基板へのシリコンエピタキシャル成長機構の研究

非晶質シリコン層で覆われたサファイア基板へのシリコンエピタキシャル成長機構の研究
非晶硅层覆盖蓝宝石衬底硅外延生长机理研究
批准号：
59460107
负责人：
安田 幸夫
金额：
$4.54万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 1985
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-59460107/
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人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発
  • 批准号：
    11232203
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $73.15万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    安田 幸夫
  • 依托单位：
    Nagoya University
電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究
  • 批准号：
    06228217
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    安田 幸夫
  • 依托单位：
    Nagoya University
電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究
  • 批准号：
    05237218
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    安田 幸夫
  • 依托单位：
    Nagoya University
界面の作製とその精密制御
  • 批准号：
    03216102
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $16.19万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    安田 幸夫
  • 依托单位：
    Nagoya University