Fundamental research on growth kinetickd of silicides due to solid reaction between metal and silicon

金属与硅固相反应硅化物生长动力学基础研究

基本信息

  • 批准号:
    04650604
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1992
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1992 至 1994
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The growth kineticks of silicides of Ni-Si, Pt-Si, Ti-Si and Mo-Si binary systems has been studied by using bulk metals and mono-crystaline silicon wafer diffusion couples. Because the silicides play an active role in the modern silicon semiconductor device technology, a great deal of kowledge about the formation of silicides in thin film metal/bulk silicon diffusion couples has been accumulated and it has been recognized that the kinetic prosess is usually dominated by grain boundary diffusion in a fine grained thin film and consequently interdiffusion can occur faster than in bulk diffusions cuple at lower temperatures.However, we could not fined obvious difference between the interdiffusion in bulk samples and in thin film samples.The remarkable finding of this study was that growth rate of silicides both in bulk and thin film diffusion couples is sensitively influenced by a small ammount of oxygen in metals incomparison with the cases of other metal/metal reactive diffusion.
本文用块体金属和单晶硅片扩散偶研究了Ni-Si、Pt-Si、Ti-Si和Mo-Si二元系硅化物的生长动力学。由于硅化物在现代硅半导体器件技术中起着积极的作用,已经积累了大量关于在薄膜金属/体硅扩散偶中形成硅化物的知识,并且已经认识到,在细晶粒薄膜中,动力学过程通常由晶界扩散主导,因此在较低温度下,相互扩散可以比体扩散偶更快地发生。然而,本研究的显著结果是,与其它金属/金属反应扩散相比,体扩散偶和薄膜扩散偶中硅化物的生长速率受金属中少量氧的影响更为敏感。

项目成果

期刊论文数量(32)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T. Shimozaki: "Reactive Dittusion in a Ni-Si Bulk Dittusion Couple" Materials Transactions, JIM. 35. 868-871 (1994)
T. Shimozaki:“Ni-Si Bulk Dittusion Couple 中的 Reactive Dittusion”Materials Transactions,JIM。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
下崎敏唯他: "膜厚0.01〜0.1μmの薄膜/バルク拡散対を用いて決定される非常に小さな拡散係数の精度" 日本金属学会誌. 57. 735-741 (1993)
Satoshi Shimosaki 等人:“使用膜厚度为 0.01 至 0.1 μm 的薄膜/体扩散偶确定的非常小的扩散系数的精度”日本金属研究所杂志 57. 735-741 (1993)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Toshitada SHIMOZAKI Yoshinori WAKAMATSU and Masami Onishi: "Begining Time of Formation of New Phase in FeZn Diffusion Couple during Non-isothermal Diffusion and Numerical Analysis for the Phase Growth Behavior" ISIJ international. vol.39. 1003 (1993)
Toshitada SHIMOZAKI Yoshinori WAKAMATSU 和 Masami Onishi:“非等温扩散期间 FeZn 扩散偶中新相形成的开始时间以及相生长行为的数值分析”ISIJ 国际。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Shimozaki, T.Narishige, Y.Wakamatsu and M.Onishi: "Reactive Diffusion in a Ni/Si Bulk Diffusion Couple" Mater.Trans.JIM. vol.35. 868 (1994)
T.Shimozaki、T.Narishige、Y.Wakamatsu 和 M.Onishi:“Ni/Si 体扩散偶中的反应扩散”Mater.Trans.JIM。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
下〓 敏唯: "拡散によって形成される新相および既存相の成長挙動の数値解析" 日本金属学会誌. 57. 1374-1379 (1993)
下图:Toshiyuki:“扩散形成的新相和现有相的生长行为的数值分析”日本金属研究所杂志 57. 1374-1379 (1993)。
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  • 发表时间:
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    0
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    $ 1.34万
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    11695053
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  • 资助金额:
    $ 1.34万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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