p型半導体電気伝導の応力・歪による変化

由于应力和应变导致 p 型半导体电导发生变化

• 批准号: 07650018
• 负责人: 大村 八通
• 金额: $ 0.9万
• 依托单位: Iwaki Meisei University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07650018/
• 关键词: ピエゾ抵抗; 圧力効果; p型Ge; p型Si; 正孔移動度

科学研究費交付以前より本研究ではp型半導体の電気伝導への応力(歪み)の効果を扱ってきた。特に最近では三次元応力である圧力効果(一次元、二次元応力でも現れる)を取り入れるため価電子帯Γ_<25>(6バンド)に加え隣接の二個の伝導帯Γ_2およびΓ_<15>、それぞれ2および6バンドの合計14バンドを用いている。これら伝導帯へのバンドギャップおよびその圧力依存性、伝導帯との相互作用の結果である価電子帯常数と価電子帯の歪による変形ポテンシャル常数を入れることにより価電子帯エネルギーの一〜三次元応力依存性を求めることが出来る。この価電子帯エネルギーを用いk空間の清算により電気伝導度を得る。本課題では約40年前に実験がなされたp型Geのピエゾ抵抗解明にまづ着手した。実験では13000気圧までの<110>方向の縦ピエゾ抵抗係数が求められており、それは圧力に殆ど依存しない。計算では<110>、<110>および<001>方向にそれぞれ-p±T.,-p、-p(p:圧力、T.:応力)を印加し電気抵抗を求めた。その結果実験値より僅か小さいが実験と同じく圧力に殆ど依存しないピエゾ抵抗係数が得られた。次に本課題では二次元応力を受けたp型Siの移動度変化を計算した。(001)面内の二次元応力の場合、面内方向の移動度はP型Siの小さいπ^<11>,π^<12>を反映して、1000MPaの応力でもその変化は数%に留まる事が分かった。この結果は数十%もの変化を伴うn型Siの場合と対照的である。これらについては遂次学会発表、投稿を行う。

Before the payment of scientific research fees, this research was carried out to determine the effect of electric conduction of p-type semiconductors. Special feature: the most recent three-dimensional pressure effect (one-dimensional and two-dimensional pressure) is the most recent one.ンド)に加え adjacentの二の伝guide帯Γ_2およびΓ_<15> , それぞれ2および6バンドの total 14バンドを用いている.これら丯へのバンドギャップおよびそのPressure dependence, 伝guide帯とのinteraction result である価electronic constant と価electronic のskewed による変shaped ポテンシャルconstantを入れることにより価electron帯エネルギーの一～三dimensional 濜力 dependence is requested to come out.この価electronics エネルギーを Use いk space のliquidation により电気伝 conductivity をget る. This project was started about 40 years ago by the author of the p-type Genomic Resistance Solution.実験では13000気姧までの<110>Direction の縦ピエゾResistance coefficient がask められており, それは姧力に殆どdependence しない. Calculate では<110>, <110>および<001> direction にそれぞれ-p±T., -p, -p (p: pressure force, T.: 応力) をINDICA し电気resistant を要めた.そのRESULT実験値よりonlyか小さいが実験と同じく姧力に殆どdependenceしないピエゾresistant coefficientがgetられた. This topic is based on the calculation of the movement degree of the p-type Si based on the two-dimensional force. (001) In the case of in-plane two-dimensional force, the degree of movement in the in-plane direction is P-type Si small さいπ^<11>, π^<12>して、1000MPaの応力でもその変化は数%にstayまる事が分かった. The result is that the result is tens of percent, and the situation is the same as that of the n-type Si. He then learned how to write a list and write a manuscript.

项目成果

Yamichi OHMURA: "Piezoresistance Effects Associated with Hydrostatic, Pressure in p-Type Ge" Journal of Physical Society of Japan. 64. 4980-4981 (1995)

Yamichi OHMURA：“与 p 型 Ge 中的静水压力相关的压阻效应”，日本物理学会杂志。