シンクロトロン放射光励起によるテルル化亜鉛の原子層成長
同步辐射激发碲化锌原子层生长
基本信息
- 批准号:07650027
- 负责人:
- 金额:$ 1.28万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 1996
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
分子科学研究所の極端紫外光施設にあるシンクロトロン放射光(BL-8A,BL-4A白色光)を光源として使用し,DMZn,DETe等の有機金属を原料とした光励起原子層成長を主にGaAs(100)基板を用いて実施した。成長実験は,現有装置を一部改良し,原料ガス供給時の成長室圧力を10^<-5>Torr程度として交互供給方式で原料供給量,原料供給,放射光照射の時系列等の成長条件を変えて行った。以前実施した同時供給法の場合と同様に,交互供給法によっても室温でエピタキシャル層が得られ、炭素による汚染は認められなかった。表面段差計やRHEEDによる測定によると,成長層はマクロ的にもミクロ的にも平坦性の良い表面状態が得られ,膜厚の均一性の点では大幅に改善されることが判明した。また,成長速度の大きさから,1原子層単位で成長を制御できることを示し,詳細な実験により放射光により原子層成長が達成できる成長条件を明らかにできた。基板の違いについて,GaAs(100)とZnTe(100)とを比較した。いずれも原子層成長が達成できるが、RHEEDパターンで見る限り,ZnTe(100)基板の方がよりストリークであり,表面状態がより良好であることが分かった。次に,主にGaAs(100)基板を用いて成長初期の吸着種について,XPS,TPDを用いて知見を得ようとした。DMZn,DETe双方ともGaAs(100)Terich表面に解離吸着すること,放射光照射によりハイドロカーボンの脱離が促進されること,1原子層程度の吸着層であること等を明らかにし,原子層成長メカニズムを理解する上でに有用な情報が得られた。以上の結果から,シンクロトロン放射光の結晶成長への利用が結晶成長のみならず,反応生成物の脱離促進の観点から有用であることが明らかにできた。
The ultraviolet light source of the Institute of Molecular Science is used for ultraviolet radiation (BL-8A,BL-4A white light), and the organic metal raw materials such as DMZn,DETe are used to excite the atomic growth master GaAs substrate. The growth equipment is now equipped with an improved equipment. The supply of raw materials to the growth chamber is 10 ^ & lt;-5>Torr level, and the interactive supply mode determines the supply of raw materials, the supply of raw materials, the series of radiation exposure and other growth conditions. In the past, the same method was applied at the same time, the same temperature, the same temperature and the same temperature. The difference of the surface section is measured by RHEED measurement, the flatness of the surface is good, and the uniformity of the film thickness is greatly improved. The growth rate is very high, the growth rate of 1 atom is very high, the growth rate of the atom is very high, and the growth rate of the atom is very high. The substrate is different, GaAs (100) ZnTe (100). The growth of the atoms is sensitive to the growth of the atoms, the temperature of the RHEED is very high, and the substrate of the ZnTe is highly sensitive, and the surface is in good shape. For the second time, the main GaAs substrate is used in the early stage of growth, and the XPS,TPD is used to get information. On both sides of the DMZn,DETe, the surface of the GaAs (100) Terich is detached and absorbed, and the radiation is irradiated to promote the release of the radiation, and the atomic growth is very important to understand that it is useful to gain the benefit of radiation. The above results show that the photoluminescence crystal growth method is used to grow the crystal, and the separation of the products to promote the temperature effect is useful.
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
西尾光弘,小川博司: "II-VI族化合物半導体の放射光励起エピタキシ-" 東北大学電気通信研究所シンポジウム論文集 光・プラズマ表面励起過程. pp.155-162.
Mitsuhiro Nishio、Hiroshi Okawa:“II-VI族化合物半导体的同步辐射激发外延”东北大学电气通信研究所研讨会论文集,光等离子体表面激发过程,第155-162页。
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
西尾光弘,緒方敏洋,ソヨドイルファンギヤス,小川博司: "交互供給法によるシンクロトロン放射光励起エピタキシ-" 日本結晶成長学会誌. 22. 54 (1995)
Mitsuhiro Nishio、Toshihiro Ogata、Soyodo Irfan Giyas、Hiroshi Okawa:“使用交流电源法的同步加速器辐射激发外延”日本晶体生长学会杂志 22. 54 (1995)。
- DOI:
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
小川博司,西尾光弘: "結晶成長ハンドブック" 日本結晶成長学会「結晶成長ハンドブック」編集委員会編 共立出版, pp.747-749.
小川浩、西尾光宏:《晶体生长手册》日本晶体生长学会《晶体生长手册》编辑委员会编,共立出版社,第747-749页。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Toshihiro Ogata,Syed Irfan Gheyas,Hiroshi Ogawa and Mitsuhiro Nishio: "Synchrotron-Radiation-Excited Growth of ZnTe by Alternating Gas Supply Using Metalorganic Sources." Jpn.J.Appl.Phys.34. L841-844 (1995)
Toshihiro Ogata、Syed Irfan Gheyas、Hiroshi Okawa 和 Mitsuhiro Nishio:“使用金属有机源通过交替供气实现 ZnTe 的同步辐射激发生长”。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.I.GHEYAS,T.OGATA,M.NISHIO and H.Ogawa: "Adsorption and Thermal Decomposition of Diethyltelluride on GaAs (100)" 13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces (September 25-29,1995,Yokohama).
S.I.GHEYAS、T.OGATA、M.NISHIO 和 H.Okawa:“二乙基碲化物在 GaAs (100) 上的吸附和热分解”第 13 届国际真空大会和第 9 届国际固体表面会议(1995 年 9 月 25-29 日,横滨)。
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