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Bi-Sb合金の高電場效果と電子正孔プラズマの生成

Bi-Sb合金の高電場效果と電子正孔プラズマの生成
Bi-Sb合金的高电场效应与电子空穴等离子体的产生
批准号：
X00095----964053
负责人：
服部 健雄
金额：
$0.2万
依托单位：
Musashi Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
财政年份：
1974
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1974 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-X00095----964053/
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断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析
  • 批准号：
    13025243
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $26.94万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    服部 健雄
  • 依托单位：
    Musashi Institute of Technology
その場観察用X線光電子分光分析器の開発とシリコン酸化・窒化極薄膜の形成機構の解明
  • 批准号：
    01065003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 资助金额：
    $153.6万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    服部 健雄
  • 依托单位：
    Musashi Institute of Technology
超ULSIのための高品質SiO_2極薄膜の作成とSiO_2/Si界面の極微細構造評価
  • 批准号：
    62460062
  • 项目类别：
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  • 资助金额：
    $4.42万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    服部 健雄
  • 依托单位：
    Musashi Institute of Technology
極微構造における電子現象の基礎的研究
  • 批准号：
    59103012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $5.44万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    服部 健雄
  • 依托单位：
    Musashi Institute of Technology