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Self-assembled monolayer-based gate dielectrics in MIS structure and its application to functional nano-electronic devices
MIS结构自组装单层栅介质及其在功能纳米电子器件中的应用
基本信息
- 批准号：15H06204
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-08-28 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Use of self-assembled monolayers for selective metal removal and ultrathin gate dielectrics in MoS2 field-effect transistors
- DOI：10.7567/jjap.56.04cp10
- 发表时间：2017-03
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：W. Du;T. Kawanago;S. Oda
- 通讯作者：W. Du;T. Kawanago;S. Oda
Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors
使用自组装单层材料选择性金属去除和 MoS2 场效应晶体管中的超薄栅极电介质
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Wanjing Du;Takamasa Kawanago;and Shunri Oda
- 通讯作者：and Shunri Oda
自己組織化単分子膜を用いたadhesion lithographyによるMoS2 FETの作製
使用自组装单层粘附光刻法制造 MoS2 FET
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takamasa Kawanago and Shunri Oda;川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理
- 通讯作者：川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
自组装单层作为栅极绝缘膜的低压驱动MoS2 FET的制作
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川那子 高暢;小田 俊理
- 通讯作者：小田 俊理
Multifunctional Phosphonic Acid Self-Assembled Monolayer for Metal Patterning and Ultrathin Gate Dielectrics in Fabrication of MoS2 Field-Effect Transistors
用于 MoS2 场效应晶体管制造中金属图案化和超薄栅极电介质的多功能膦酸自组装单层
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：杜 婉静;川那子 高暢;小田 俊理
- 通讯作者：小田 俊理
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- 影响因子：0
- 作者：
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川那子高暢，松﨑貴広，小田俊理
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Wakabayashi Hitoshi
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