Self-assembled monolayer-based gate dielectrics in MIS structure and its application to functional nano-electronic devices
Self-assembled monolayer-based gate dielectrics in MIS structure and its application to functional nano-electronic devices
MIS结构自组装单层栅介质及其在功能纳米电子器件中的应用
批准号：
15H06204
负责人：
Kawanago Takamasa
金额：
$1.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-08-28 至 2017-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.56.04cp10
发表时间：
2017-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[W. Du;T. Kawanago;S. Oda]
通讯作者：
W. Du;T. Kawanago;S. Oda
Using Self-Assembled Monolayers for Selective Metal Removing and Ultrathin Gate Dielectrics in MoS2 Field-Effect Transistors
使用自组装单层材料选择性金属去除和 MoS2 场效应晶体管中的超薄栅极电介质
使用自组装单层材料选择性金属去除和 MoS2 场效应晶体管中的超薄栅极电介质
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Wanjing Du, Takamasa Kawanago, and Shunri Oda]
通讯作者：
and Shunri Oda
自己組織化単分子膜を用いたadhesion lithographyによるMoS2 FETの作製
使用自组装单层粘附光刻法制造 MoS2 FET
使用自组装单层粘附光刻法制造 MoS2 FET
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takamasa Kawanago and Shunri Oda, 川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理]
通讯作者：
川那子 高暢，居駒 遼，Wanjing Du，小田 俊理
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
自组装单层作为栅极绝缘膜的低压驱动MoS2 FET的制作
自组装单层作为栅极绝缘膜的低压驱动MoS2 FET的制作
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川那子 高暢, 小田 俊理]
通讯作者：
小田 俊理
Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET
用于 MoS2 FET 的自组装单层栅极电介质
用于 MoS2 FET 的自组装单层栅极电介质
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takamasa Kawanago, and Shunri Oda]
通讯作者：
and Shunri Oda
共 10 条
Two Dimensional Inorganic/Organic Hetero Interface for Normally Off MoS2 FET
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批准号：17K14662
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2017
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负责人：Kawanago Takamasa
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依托单位：
海外基金