Two Dimensional Inorganic/Organic Hetero Interface for Normally Off MoS2 FET
Two Dimensional Inorganic/Organic Hetero Interface for Normally Off MoS2 FET
批准号:
17K14662
负责人:
Kawanago Takamasa
金额:
$2.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2021-03-31
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基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe2FETの作製
使用衬底偏置结构的载流子注入控制和 WSe2FET 的制造
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[川那子高暢, 高木寛之, 居駒遼, 大場智昭]
通讯作者:
大場智昭
Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET
具有基于 SAM 的栅极电介质的重掺杂 SOI 在 TMDC FET 中的应用
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ryo Ikoma, Takamasa Kawanago, Yukio Kawano]
通讯作者:
Yukio Kawano
Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors
用于评估 MoS2 场效应晶体管电气特性的门控四探针法
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tomoaki Oba, Takamasa Kawanago, Shunri Oda]
通讯作者:
Shunri Oda
DOI:
10.1063/1.4979610
发表时间:
2017-03
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[T. Kawanago;S. Oda]
通讯作者:
T. Kawanago;S. Oda
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
使用高浓度 SOI 衬底和转移方法制造 TMDC FET
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[川那子 高暢, 居駒 遼, 高木 寛之, 小田 俊理]
通讯作者:
小田 俊理
共 24 条
Self-assembled monolayer-based gate dielectrics in MIS structure and its application to functional nano-electronic devices
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批准号:15H06204
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.91万
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财政年份:2015
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负责人:Kawanago Takamasa
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依托单位:
国内基金
海外基金
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集成微流控与FET生物传感器用于复杂体系中痕量胰腺癌标志物的精准检测
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批准号:2025JJ50378
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:刘逸为
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依托单位:
基于新型四面体探针的PLA-FET传感器特异性检测糖基化外泌体PD-L1用于肿瘤早期诊断
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批准号:JCZRYB202500836
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
基于可视化探针-FET生物传感器的术中乳腺癌前哨淋巴结活检
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批准号:2025JJ81135
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:周丽智
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依托单位:
大功率p-FET器件与逻辑芯片架构方法研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
双层石墨烯纳米带阵列的微纳限域低温合成及全碳FET器件研究
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批准号:
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项目类别:面上项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:胡宝山
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依托单位:
智能双栅调控InSe Bio-FET可控构筑与原位细胞传感机制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
离子辐照精准调控SnS2栅极敏感材料缺陷密度增强碳基FET型气体传感器性能的研究
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批准号:12305330
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:周云
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依托单位:
Nb2O5/MoSe2-FET器件的室温氢敏性能与特异性增敏机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2023
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负责人:
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依托单位:
电池状态监测用可植入式碳基FET传感器及电池失效机制研究
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批准号:2023JJ20036
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2023
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负责人:魏同业
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依托单位:
GaN p-FET 源、漏极欧姆接触机理研究及器件验证
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2023
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负责人:汪青
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依托单位: