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Two Dimensional Inorganic/Organic Hetero Interface for Normally Off MoS2 FET
用于常断 MoS2 FET 的二维无机/有机异质接口
基本信息
- 批准号：17K14662
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（25）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe2FETの作製
使用衬底偏置结构的载流子注入控制和 WSe2FET 的制造
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川那子高暢;高木寛之;居駒遼;大場智昭
- 通讯作者：大場智昭
Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET
具有基于 SAM 的栅极电介质的重掺杂 SOI 在 TMDC FET 中的应用
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryo Ikoma;Takamasa Kawanago;Yukio Kawano
- 通讯作者：Yukio Kawano
Control of threshold voltage by gate metal electrode in molybdenum disulfide field-effect transistors
- DOI：10.1063/1.4979610
- 发表时间：2017-03
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：T. Kawanago;S. Oda
- 通讯作者：T. Kawanago;S. Oda
Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors
用于评估 MoS2 场效应晶体管电气特性的门控四探针法
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tomoaki Oba;Takamasa Kawanago;Shunri Oda
- 通讯作者：Shunri Oda
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
使用高浓度 SOI 衬底和转移方法制造 TMDC FET
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川那子 高暢;居駒 遼;高木 寛之;小田 俊理
- 通讯作者：小田 俊理
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- 影响因子：0
- 作者：
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Iwai Hiroshi
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- 影响因子：1.5
- 作者：
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Wakabayashi Hitoshi
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