Thin films and devices based on fully compensated half-metallic ferrimagnetic materials
Thin films and devices based on fully compensated half-metallic ferrimagnetic materials
基于全补偿半金属亚铁磁材料的薄膜和器件
批准号：
17H06513
负责人：
Ouardi Siham
金额：
$0.92万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-08-25 至 2018-03-31
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会议论文
Mizukami Lab.
水上实验室。
水上实验室。
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fully spin-polarized alloys with zero magnetic moments
具有零磁矩的完全自旋极化合金
具有零磁矩的完全自旋极化合金
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Siham Ouardi, Kazuya Z. Suzuki, and Shigemi Mizukami]
通讯作者：
and Shigemi Mizukami
Epitaxial growth of compensated ferrimagnetic Heusler thin films Mn-Fe-V-Al
补偿亚铁磁 Heusler 薄膜 Mn-Fe-V-Al 的外延生长
补偿亚铁磁 Heusler 薄膜 Mn-Fe-V-Al 的外延生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Siham Ouardi, Kazuya Z. Suzuki, and Shigemi Mizukami]
通讯作者：
and Shigemi Mizukami
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