Development of robust boron-doped diamond superconducting quantum interference devices with tolerance to abrasion, heat and oxidation
开发具有耐磨性、耐热性和抗氧化性的坚固的掺硼金刚石超导量子干涉装置
基本信息
- 批准号:17H07192
- 负责人:
- 金额:$ 1.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-08-25 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
不連続(111)面を利用した超伝導ボロンドープ単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合
使用不连续(111)面的超导掺硼单晶金刚石约瑟夫森结
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:天野 勝太郎;蔭浦 泰資;日出幸 昌邦;露崎 活人;笹間 陽介;山口 尚秀;高野 義彦;立木 実;大井 修一;平田 和人;有沢 俊一;川原田 洋
- 通讯作者:川原田 洋
Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit
用于超导 Q 位的金刚石约瑟夫森结和 SQUID
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:蔭浦泰資;露崎活人;天野勝太郎;森下葵;立木実;大井修一;有沢俊一;高野義彦;川原田洋
- 通讯作者:川原田洋
Superconductivity in fine patterned single crystalline boron-doped diamond films
精细图案单晶硼掺杂金刚石薄膜中的超导性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Kageura;I. Tsuyuzaki;S. Amano;A. Morishita;T. Sasagawa;H. Kawarada
- 通讯作者:H. Kawarada
Superconductivity in high quality single crystal boron-doped diamond films with Tc above 10K
Tc高于10K的高质量单晶硼掺杂金刚石薄膜的超导性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Kageura;I. Tsuyuzaki;T.Yamaguchi;Y. Takano and H.Kawarada
- 通讯作者:Y. Takano and H.Kawarada
Effective Boron-Doping Method Using Custom-Built MPCVD System for High Tc Superconducting Diamond
使用定制的 MPCVD 系统对高温超导金刚石进行有效的硼掺杂方法
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Kageura;M. Hideko;I. Tsuyuzaki;Y. Sasama;T. Yamaguchi;Y. Takano;H.Kawarada
- 通讯作者:H.Kawarada
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
KAGEURA Taisuke其他文献
KAGEURA Taisuke的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('KAGEURA Taisuke', 18)}}的其他基金
Exploration of quantum transport in 2DHG diamond Nano-Fin structure and its FET application
2DHG金刚石纳米鳍结构中的量子输运探索及其FET应用
- 批准号:
19K15030 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相似海外基金
無毒性・低成長温度高温超伝導エレクトロニクス用薄膜材料の創成・応用に関する研究
无毒、低生长温度、高温电子用超导薄膜材料的创制及应用研究
- 批准号:
07J09058 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超伝導エレクトロニクスに適した酸化物超伝導材料の開発
适用于超导电子器件的氧化物超导材料的开发
- 批准号:
03210212 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導エレクトロニクス応用デバイスの研究
高温超导电子应用器件研究
- 批准号:
03210208 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導エレクトロニクス応用デバイスの研究
高温超导电子应用器件研究
- 批准号:
02226208 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導エレクトロニクス応用デバイスの研究
高温超导电子应用器件研究
- 批准号:
01644507 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 1.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas