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Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
绝缘基板上硅基纳米线的自下而上生长
基本信息
- 批准号：17H07351
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-08-25 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth of Au/Sn-catalyzed Ge 1-x Sn x nanowires with high Sn content (~5 at.%)
生长%20of%20Au/Sn催化%20Ge%201-x%20Sn%20x%20纳米线%20with%20high%20Sn%20含量%20(~5%20at.%)
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
- 通讯作者：孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
The Structural Controlled SiNWs by Wet and Dry Etching Processes for Photovoltaic Applications
用于光伏应用的湿法和干法蚀刻工艺的结构控制 SiNW
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Miyauchi;Tomohiro Sonobe;and Noriyoshi Sukegawa;Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi;宮内 敦史，武田 朗子;松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹;河瀬 康志，宮内 敦史;JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
- 通讯作者：JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth
通过有限区域铝诱导层交换生长在绝缘衬底上形成单畴多晶硅薄膜
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Miyauchi;Tomohiro Sonobe;and Noriyoshi Sukegawa;Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi;宮内 敦史，武田 朗子;松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
- 通讯作者：松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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