Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
绝缘基板上硅基纳米线的自下而上生长
批准号：
17H07351
负责人：
Matsumura Ryo
金额：
$1.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-08-25 至 2019-03-31
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Growth of Au/Sn-catalyzed Ge 1-x Sn x nanowires with high Sn content (~5 at.%)
生长%20of%20Au/Sn催化%20Ge%201-x%20Sn%20x%20纳米线%20with%20high%20Sn%20含量%20(~5%20at.%)
生长%20of%20Au/Sn催化%20Ge%201-x%20Sn%20x%20纳米线%20with%20high%20Sn%20含量%20(~5%20at.%)
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹]
通讯作者：
孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
The Structural Controlled SiNWs by Wet and Dry Etching Processes for Photovoltaic Applications
用于光伏应用的湿法和干法蚀刻工艺的结构控制 SiNW
用于光伏应用的湿法和干法蚀刻工艺的结构控制 SiNW
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Miyauchi, Tomohiro Sonobe, and Noriyoshi Sukegawa, Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi, 宮内 敦史，武田 朗子, 松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹, 河瀬 康志，宮内 敦史, JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹]
通讯作者：
JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth
通过有限区域铝诱导层交换生长在绝缘衬底上形成单畴多晶硅薄膜
通过有限区域铝诱导层交换生长在绝缘衬底上形成单畴多晶硅薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Miyauchi, Tomohiro Sonobe, and Noriyoshi Sukegawa, Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi, 宮内 敦史，武田 朗子, 松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹]
通讯作者：
松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
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