Research on hexagonal boron nitride semiconductors

六方氮化硼半导体的研究

• 批准号: 18206004
• 负责人: KOBAYASHI Yasuyuki
• 金额: $ 25.88万
• 依托单位: NTT Basic Research Laboratories
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206004/
• 关键词: 半導体; 結晶成長; 半導体物性; 光物性; エピタキシャル成長

We demonstrate that (0001) hexagonal boron nitrides (h-BN) are epitaxially grown on (111) Ni and (0001) sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. A near-band-gap ultraviolet emission peak centered at energy of 5.47eV (227nm) is clearly observed in cathodoluminescence spectra at room temperature from the h-BN epitaxial layers. The photon energy dependence of the squared absorption coefficient is linear, indicating a direct band gap in the h-BN, and the optical band gap is determined to be 5.9eV. The h-BN has a promising as an optoelectronic material in the deep ultraviolet spectral region.

我们采用金属有机物气相外延法在（111）Ni和（0001）蓝宝石衬底上外延生长了（0001）六方氮化硼（h-BN）。在室温下的阴极荧光光谱中，观察到了一个能量为5.47eV（227 nm）的近带隙紫外发射峰。吸收系数的平方与光子能量的关系是线性的，表明在h-BN中存在直接带隙，并且光学带隙被确定为5.9eV。h-BN是一种很有前途的深紫外光电子材料。

项目成果

検出素子および検出方法

检测元件及检测方法

• 发表时间: 2008

素子状態読み出し装置、方法、および透過型ジョセフソン共振回路

器件状态读取装置、方法及传输型约瑟夫森谐振电路

• 发表时间: 2009

Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N(1120)films grown on SiC(1120)

SiC(1120) 上生长的 Al(B, Ga)N(1120) 薄膜的各向异性面内应变

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Akasaka;Y. Kobayashi
• 通讯作者: Y. Kobayashi