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Spin based three terminal device using magnetic semiconductor/non-magnetic semiconductor hybrid structures

Spin based three terminal device using magnetic semiconductor/non-magnetic semiconductor hybrid structures
使用磁性半导体/非磁性半导体混合结构的基于自旋的三端器件
批准号：
18206001
负责人：
NITTA Junsaku
金额：
$31.95万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206001/
关键词：
半導体磁性半導体スピン軌道相互作用磁気異方性スピン三端子GaMnAsトンネル磁気抵抗細線構造MnAsナノクラスタMnAsクラスター粒子磁化反転機構InGaAs

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项目成果

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We have found that spin relaxation is suppressed in narrow InGaAs wires. Furthermore, the spin relaxation length is much enhanced by controlling spin-orbit interaction through gate voltage on top of the InGaAs wires. We have confirmed that magnetic anisotropy of magnetic semiconductor GaMnAs can be artificially introduced by making its wire-width narrower. A fabricated GaMnAs double-tunnel-barrier transistor has shown a current gain (=corrector current/base current) under particular bias condition.
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会议论文
InGaAs細線構造における次元制御を用いたスピン緩和の抑制
利用 InGaAs 细线结构中的尺寸控制抑制自旋弛豫
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [国橋要司, 好田誠, 新田淳作]
通讯作者： 新田淳作
Spin interference of square and triangular lateral antidot lattices in InP/InGaAs heterostructures
InP/InGaAs异质结构中方形和三角形横向反点晶格的自旋干涉
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [F. Satoh, M. Kohda, and J.Nitta]
通讯作者： and J.Nitta
ホームページ
主页
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Spin Coherent Transport in InGaAs Wires and Rings
InGaAs 线和环中的自旋相干传输
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Y.Kobayashi, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto, J. Nitta]
通讯作者： J. Nitta
Spin-orbit Engineering
  • 批准号：
    15H05699
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 资助金额：
    $370.91万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    NITTA Junsaku
  • 依托单位：
    Tohoku University
Exploration of new spin functionalities in magnetic/non-magnetic heterostructures
  • 批准号：
    25600069
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    NITTA Junsaku
  • 依托单位：
    Tohoku University
Current induced magnonic crystal
  • 批准号：
    23656003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    NITTA Junsaku
  • 依托单位：
    Tohoku University
Creation of spin devices based on relativistic effects
  • 批准号：
    22226001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $138.94万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    NITTA Junsaku
  • 依托单位：
    Tohoku University
海外基金