Spin based three terminal device using magnetic semiconductor/non-magnetic semiconductor hybrid structures

使用磁性半导体/非磁性半导体混合结构的基于自旋的三端器件

• 批准号: 18206001
• 负责人: NITTA Junsaku
• 金额: $ 31.95万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206001/
• 关键词: 半導体; 磁性半導体; スピン軌道相互作用; 磁気異方性; スピン三端子; GaMnAs; トンネル磁気抵抗; 細線構造; MnAsナノクラスタ; MnAsクラスター粒子; 磁化反転機構; InGaAs

We have found that spin relaxation is suppressed in narrow InGaAs wires. Furthermore, the spin relaxation length is much enhanced by controlling spin-orbit interaction through gate voltage on top of the InGaAs wires. We have confirmed that magnetic anisotropy of magnetic semiconductor GaMnAs can be artificially introduced by making its wire-width narrower. A fabricated GaMnAs double-tunnel-barrier transistor has shown a current gain (=corrector current/base current) under particular bias condition.

我们发现在窄的InGaAs线中自旋弛豫被抑制。此外，通过在InGaAs线上施加栅极电压来控制自旋-轨道相互作用，大大提高了自旋弛豫长度。我们已经证实，磁性半导体GaMnAs的磁各向异性可以通过使其线宽变窄来人为地引入。制作的GaMnAs双隧道势垒晶体管在特定的偏置条件下显示出电流增益(=校正电流/基区电流)。

项目成果

InGaAs細線構造における次元制御を用いたスピン緩和の抑制

利用 InGaAs 细线结构中的尺寸控制抑制自旋弛豫

• 发表时间: 2008
• 作者: 国橋要司;好田誠;新田淳作
• 通讯作者: 新田淳作

ホームページ

主页

Spin interference of square and triangular lateral antidot lattices in InP/InGaAs heterostructures

InP/InGaAs异质结构中方形和三角形横向反点晶格的自旋干涉

• 发表时间: 2008
• 作者: F. Satoh;M. Kohda;and J.Nitta
• 通讯作者: and J.Nitta

Spin Coherent Transport in InGaAs Wires and Rings

InGaAs 线和环中的自旋相干传输

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Kobayashi;T.Nakamura;T.Akasaka;T.Makimoto;N.Matsumoto;J. Nitta
• 通讯作者: J. Nitta

Comparison of gate sensitivity for spin interference effect between Al_2O_3 and SiO_2 gate insulators on InGaAs based mesoscopic ring arrays (Invited)

InGaAs基介观环形阵列上Al_2O_3和SiO_2栅极绝缘体自旋干涉效应的栅极灵敏度比较（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Kohda;J. Takagi;and J. Nitta
• 通讯作者: and J. Nitta