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Creation of spin devices based on relativistic effects

Creation of spin devices based on relativistic effects
基于相对论效应创建自旋装置
批准号：
22226001
负责人：
NITTA Junsaku
金额：
$138.94万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22226001/
关键词：
スピン軌道相互作用スピン生成スピン制御スピン検出スピントロニクス相対論的効果スピン注入・生成

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半導体準1次元細線構造を用いたスピン軌道相互作用の定量評価
利用半导体准一维细线结构定量评估自旋轨道相互作用
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [国橋要司, 好田誠, 新田淳作]
通讯作者： 新田淳作
Atomic and Electronic Structures of Interfaces for Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs Junctions
Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs 结界面的原子和电子结构
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Tezuka, T. Saito, M. Matsuura, S. Sugimoto]
通讯作者： S. Sugimoto
Spin Orbit Interaction in an In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.7>Ga_<0.3>As Shallow Two Dimensional Electron Gas for Spin Injection and Detection
用于自旋注入和检测的 In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.7>Ga_<0.3>As 浅二维电子气中的自旋轨道相互作用
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Kohda, T.Shibata, J.Nitta]
通讯作者： J.Nitta
Comparison between optical Kerr detection and electrical 3T-Hanle effect of electrical spin injection in perpendicularly magnetized L10-FePt / MgO / GaAs structures
垂直磁化L10-FePt / MgO / GaAs结构中电自旋注入的光学克尔检测与电学3T-Hanle效应的比较
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Ohsugi, J. Shiogai, M. Kohda, Y. Kunihashi, H. Sanada, T. Seki, Y. Sakuraba, M. Mizuguchi, H. Gotoh, T. Sogawa, K. Takanashi, and J. Nitta]
通讯作者： and J. Nitta
共 166 条
    Spin-orbit Engineering
    • 批准号：
      15H05699
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • 资助金额：
      $370.91万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      NITTA Junsaku
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Exploration of new spin functionalities in magnetic/non-magnetic heterostructures
    • 批准号：
      25600069
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      NITTA Junsaku
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Current induced magnonic crystal
    • 批准号：
      23656003
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      NITTA Junsaku
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Spin based three terminal device using magnetic semiconductor/non-magnetic semiconductor hybrid structures
    • 批准号：
      18206001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.95万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      NITTA Junsaku
    • 依托单位：
      Tohoku University