Creation of spin devices based on relativistic effects

基于相对论效应创建自旋装置

• 批准号: 22226001
• 负责人: NITTA Junsaku
• 金额: $ 138.94万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22226001/
• 关键词: スピン軌道相互作用; スピン生成; スピン制御; スピン検出; スピントロニクス; 相対論的効果; スピン注入・生成

项目成果

半導体準1次元細線構造を用いたスピン軌道相互作用の定量評価

利用半导体准一维细线结构定量评估自旋轨道相互作用

• 发表时间: 2011
• 作者: 国橋要司;好田誠;新田淳作
• 通讯作者: 新田淳作

Atomic and Electronic Structures of Interfaces for Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs Junctions

Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs 结界面的原子和电子结构

• 发表时间: 2014
• 作者: N. Tezuka;T. Saito;M. Matsuura;S. Sugimoto
• 通讯作者: S. Sugimoto

Spin Orbit Interaction in an In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.7>Ga_<0.3>As Shallow Two Dimensional Electron Gas for Spin Injection and Detection

用于自旋注入和检测的 In_<0.53>Ga_<0.47>As/In_<0.7>Ga_<0.3>As 浅二维电子气中的自旋轨道相互作用

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Kohda;T.Shibata;J.Nitta
• 通讯作者: J.Nitta

Comparison between optical Kerr detection and electrical 3T-Hanle effect of electrical spin injection in perpendicularly magnetized L10-FePt / MgO / GaAs structures

垂直磁化L10-FePt / MgO / GaAs结构中电自旋注入的光学克尔检测与电学3T-Hanle效应的比较

• 作者: R. Ohsugi;J. Shiogai;M. Kohda;Y. Kunihashi;H. Sanada;T. Seki;Y. Sakuraba;M. Mizuguchi;H. Gotoh;T. Sogawa;K. Takanashi;and J. Nitta
• 通讯作者: and J. Nitta

Shot noise at the quantum point contact in InGaAs heterostructure

InGaAs 异质结构中量子点接触处的散粒噪声

• DOI: 10.1063/1.4848410
• 发表时间: 2013
• 期刊: AIP Conference Proceedings
• 作者: Y. Nishihara;S. Nakamura;K. Kobayashi;T. Ono;M. Kohda;J. Nitta
• 通讯作者: J. Nitta