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Control of structure and property in new low dimensional structures on Si nanomembrane

Control of structure and property in new low dimensional structures on Si nanomembrane
硅纳米膜上新型低维结构的结构和性能控制
批准号：
19206005
负责人：
FUJIKAWA Yasunori
金额：
$27.62万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206005/
关键词：
走査プローブ顕微鏡低次元電気伝導薄膜成長表面・界面物性

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GaN has been integrated on Si(001) via Si(111)-SOI structure by MBE, demonstrating the validity of symmetry conversion via Si(111)-SOI for epitaxial growth with symmetry mismatch. Transport properties of various low-dimensional systems have been also investigated, finding out that the conductivity of Si(111)-SOI is strongly surface dependent by scanning tunneling microscopy and 4-probe measurements.
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会议论文
Formation of highly crystalline C60 molecular films on a Bi(0001)/Si(111) surface
Bi(0001)/Si(111)表面高结晶C60分子薄膜的形成
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： JETP Lett. 86
影响因子： --
作者： [A. I. Oreshkin, R. Z. Bakhtizin, J. T. Sadowski, Y. Fujikawa, T. Sakurai]
通讯作者： T. Sakurai
Silicon on insulator for symmetry-converted growth
DOI： 10.1063/1.2748099
发表时间： 2007-06-11
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Fujikawa, Y., Yamada-Takamura, Y., Sakurai, T.]
通讯作者： Sakurai, T.
Growth Mechanism of Anisotropic Pentacene Thin Film
各向异性并五苯薄膜的生长机理
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Fujikawa, et al.]
通讯作者： et al.
Adsorption and electronic structure of single C60F18 molecule on Si(111)-7x7 surface
Si(111)-7x7表面上单个C60F18分子的吸附和电子结构
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Chem.Phys.Lett. 482
影响因子： --
作者： [R. Z. Bakhtizin, A. I. Oreshkin, P. Murugan, Vijay Kumar, J. T. Sadowski, Y. Fujikawa, Y. Kawazoe, T. Sakurai]
通讯作者： T. Sakurai
共 25 条
    Interface doping on organic thin film transistors exploring spin related phenomena
    Structural control and property exploration on organic complex stacks via combined microscopic observations
    Controlled fabrication of quantum dots and nanostructures by controlling high-index surfaces of group IV semiconductors
    • 批准号：
      15310081
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.37万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      FUJIKAWA Yasunori
    • 依托单位：
      Tohoku University