Fabrication of ordered nano-and microstructures on semiconductors using self-organized materials and their applications

利用自组织材料在半导体上制备有序纳米和微米结构及其应用

• 批准号: 20241026
• 负责人: ONO Sachiko
• 金额: $ 29.7万
• 依托单位: Kogakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20241026/
• 关键词: ナノ材料; ナノバイオ; 先端機能デバイス; 半導体超微細加工; 材料加工・処理; ナノ構造形成・制御; 半導体超微細化

We developed novel fabrication techniques, which are not achievable by conventional lithography techniques based on the dry process, for semiconductors(Si, GaAs, and InP) and light metals(Al and Ti) to form ordered nano-and microstructures by wet process using the structural feature of spontaneously generated patterns.

我们开发了新的制造技术，这是传统的基于干法工艺的光刻技术所不能实现的，用于半导体(Si，GaAs和InP)和轻金属(Al和Ti)，利用自发产生的图案的结构特征，通过湿法工艺形成有序的纳米和微结构。

项目成果

Fabrication of Self-Organized Nanoporous Oxide Semiconductors by Anodization

通过阳极氧化制备自组织纳米多孔氧化物半导体

• 发表时间: 2008
• 作者: S. Ono;R. Kobayashi;Y. Kobayashi;H. Asoh
• 通讯作者: H. Asoh

Evaluation of Photocatalytic Activity of Nanoporous ZnO Films Prepared by Anodization

阳极氧化纳米多孔ZnO薄膜光催化活性评价

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Kobayashi;H. Asoh;S. Ono
• 通讯作者: S. Ono

Fabrication of GaAs Pore Arrays with High Aspect Ratio by Anodic Etching through Photoresist Mask

光刻胶掩模阳极刻蚀制备高深宽比 GaAs 孔隙阵列

• 发表时间: 2011
• 作者: S.Kotaka;H.Asoh;S.Ono
• 通讯作者: S.Ono

アパタイト付与によるマグネシウムの耐食性の改善

添加磷灰石提高镁的耐蚀性

• 发表时间: 2011
• 作者: 小林大記;阿相英孝;小野幸子
• 通讯作者: 小野幸子

アルマイトの基礎理論と応用技術

防蚀铝基础理论及应用技术

• 发表时间: 2011
• 作者: T. Kitahara;T. Matsui;and S. Mizuno;Kanji Yoh;立木茂雄（本莊雄一）;鈴木重雄・正本英紀・井坂利章・古川順啓・東彰一・大田直友・鎌田磨人;吉田映子;小野幸子
• 通讯作者: 小野幸子