Silicon Single-Dopant Electronics

硅单掺杂电子器件

• 批准号: 20241036
• 负责人: ONO Yukinori
• 金额: $ 30.95万
• 依托单位: NTT Basic Research Laboratories
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20241036/
• 关键词: シングルドーパント; 単一電子制御; ナノ・マイクロ科学; マイクロ・ナノデバイス; ナノ物性制御

In this project, we aim at the realization of technologies that enable us to manipulate single charges and spins, by using a true atom, or, dopant in silicon, rather than by using an artificial atoms, or quantum dots. Here, we established the way of identifying the position of individual dopants in a transistor and also clarified how each dopant had an impact on the transistor characteristics. In addition, we realized the "atom device" that controls motion of single charges by using a dopant embedded in silicon.

在这个项目中，我们的目标是实现一种技术，使我们能够通过使用真正的原子或硅中的掺杂剂来操纵单电荷和自旋，而不是使用人造原子或量子点。在这里，我们建立了识别晶体管中单个掺杂剂位置的方法，并阐明了每种掺杂剂对晶体管特性的影响。此外，我们还利用嵌入在硅中的掺杂剂实现了控制单电荷运动的“原子装置”。

项目成果

Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution

通过不对称有序掺杂剂分布增强 FET 中的电子传输性能

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Hori;T.Shinada;T.Endoh;et al.
• 通讯作者: et al.

Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

可靠的单原子掺杂和离散掺杂剂对晶体管性能的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Shinada;M.Hori;Y.Ono;K.Taira;A.Komatsubara;T.Tanii;T.Endoh;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari

Charge transfer by multiple donors in a Si nanowire

硅纳米线中多个供体的电荷转移

• 发表时间: 2011
• 作者: Signe Olivarius;Charles Plessy;Piero Carninci;G. P. Lansbergen
• 通讯作者: G. P. Lansbergen

Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors

硅纳米级场效应晶体管中单个受主的水平位置分析

• 发表时间: 2009
• 期刊: Appl. Phys. Lett
• 作者: M. A. H. Khalafalla;Y. Ono;K. Nishiguchi;A. Fujiwara
• 通讯作者: A. Fujiwara

Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors

磷掺杂绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管电致发光中的强斯塔克效应

• 发表时间: 2011
• 期刊: Appl.Phys.Lett. Vol.98
• 作者: J.Noborisaka;K.Nishiguchi;Y.Ono;H.Kageshima;A.Fujiwara
• 通讯作者: A.Fujiwara